[发明专利]管芯封装以及形成管芯封装的方法

说明书

提供了一种管芯封装。所述管芯封装可以包括：管芯，该管芯具有位于该管芯的第一侧上的第一管芯接触部以及位于该管芯的与该管芯的第一侧相对的第二侧上的第二管芯接触部；与管芯横向相邻的绝缘材料；基本上直接接触管芯的第二管芯接触部的整个表面的金属结构，其中，所述金属结构由与第二管芯接触部相同的材料制成；管芯的第一侧上的与第一管芯接触部电接触的第一接触焊盘；以及管芯的第一侧上的经由所述金属结构与第二管芯接触部电接触的第二接触焊盘；其中，所述绝缘材料使所述金属结构与第一管芯接触部电绝缘。

技术领域

各种实施例总体上涉及管芯封装以及形成管芯封装的方法。

背景技术

成本和性能可以被视为有关分立功率封装的两个主要相关方面。在嵌入式芯片的制造当中，一个典型的挑战是如何以最低的可能成本制造具有最佳可能电性能和热性能的封装。良好的电性能可能需要管芯和封装之间的良好导电接触。这样的接触通常是作为昂贵的激光微过孔和/或镀覆通孔形成的。例如，当前的CE第二代3X3封装的布局可以包括处于管芯的两侧上的两层。出于这一原因，热性能可能不是非常好，尤其是制造成本可能很高。

Blade 3x3封装的当前后继者可以总共有四层并且具有大量的镀覆微过孔和通孔。管芯可以位于封装的中心线上，并且管芯的两侧与外层之间的连接可以是通过镀覆微过孔提供的，出于这一原因，管芯背侧可以不直接暴露至封装顶面。当前封装的限制可以是不良热性能和非常高的成本。

发明内容

提供了一种管芯封装。所述管芯封装可以包括：管芯，所述管芯具有位于所述管芯的第一侧上的第一管芯接触部以及位于所述管芯的与所述管芯的第一侧相对的第二侧上的第二管芯接触部；与所述管芯横向相邻的绝缘材料；基本上直接接触所述管芯的第二管芯接触部的整个表面的金属结构，其中，所述金属结构由与所述第二管芯接触部相同的材料制成；所述管芯的第一侧上的与所述第一管芯接触部电接触的第一接触焊盘；以及所述管芯的第一侧上的经由所述金属结构与所述第二管芯接触部电接触的第二接触焊盘；其中，所述绝缘材料使所述金属结构与所述第一管芯接触部电绝缘。

附图说明

在附图中，在不同图示中始终以大致类似的附图标记指代相同的部分。附图未必是按比例绘制的，相反其重点在于大体上说明本发明的原理。在下文的描述当中，将参考下面的附图描述本发明的各种实施例，其中：

图1示出了根据各种实施例的三管芯封装的示意性截面图；

图2示出了根据各种实施例的形成管芯封装的过程的可视化；并且

图3示出了形成管芯封装的方法的流程图。

具体执行方式

下文的详细描述参考了附图，附图以举例说明的方式示出了具体细节以及可以实践本发明的实施例。

“示例性”一词在本文中被用于意指“用作示例、实例或者例示”。本文被描述为“示例性”的任何实施例或设计未必要被理解为相比其他实施例或设计是优选的或者具有优势。

联系形成于侧或表面“之上”的沉积材料使用的词语“在……之上”在本文中可以用于表示所沉积的材料可以直接形成于所暗示的侧或表面上，例如，与之直接接触。联系形成于侧或表面“之上”的沉积材料使用的词语“在……之上”在本文中还可以用于表示所沉积的材料可以间接形成于所暗示的侧或表面上，其中一个或多个额外的层布置在所暗示的侧或表面与所沉积的材料之间。

在各种实施例中，提供了一种形成管芯封装的方法，该方法与现有方法相比具有简化的并且成本很低的工艺流。所述方法允许通过使用(例如)等离子体蚀刻工艺和/或喷水打磨(water blasting)工艺形成通往(半导体)管芯(又称为(半导体)芯片)的正面的一个或多个大面积开口，而不用昂贵的激光钻孔工艺。管芯的与其正面相对的背面可以直接向管芯封装的顶面敞开，从而确保相对于顶部的最佳可能(即，尽可能低的)热阻R_TH。