[发明专利]半导体制造方法及系统在审

专利信息
申请号: 202010009195.1 申请日: 2020-01-06
公开(公告)号: CN113078084A 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 李寿雄 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L21/677 分类号: H01L21/677;H01L21/673;H01L21/67
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤
地址: 230001 安徽省合肥市蜀山*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 半导体 制造 方法 系统
【说明书】:

发明涉及半导体制造技术领域,公开了一种半导体制造方法及系统。该方法包括:在传输晶圆的操作中,通入保护气体于晶圆载盒,并将所述晶圆载盒中保护气体的实时参数控制在安全范围内;并根据所述实时参数调整通入的保护气体的量。本发明通过对半导体制造生产线的自动化物料搬运系统进行改进,可以控制在晶圆输送过程中稳定的气体环境,有利于晶圆在输送过程中避免受到温度和水汽的环境影响,从而提高晶圆生产良品率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种半导体制造方法及系统。

背景技术

半导体制造生产线基本采用自动化物料搬运系统,通过悬挂式输送小车向工艺设备的装载接口搬运装有晶圆的载盒,将晶圆从一个半导体制造工艺设备传送到下一个半导体制造工艺设备。

随着半导体集成电路器件特征尺寸的不断缩小,现有的动态随机存储器的设计尺寸已经小于25纳米,为了使晶圆在不同工艺步骤之间的输送过程中避免受到温度、水汽和其它活性气体的影响,会在晶圆承载盒中通入非活性气体保护。但是晶圆承载盒是非密闭系统,随着时间流逝,非活性气体会慢慢泄露,导致水汽和其它活性气体浓度升高,晶圆会面临氧化和腐蚀的风险,因此在晶圆输送过程中控制稳定的气体环境变得尤其重要。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体制造方法及系统,通过控制在晶圆输送过程中稳定的气体环境,从而提高晶圆生产良品率。

为解决上述技术问题,本发明中提供了一种半导体制造方法,其特征在于:

在不同工艺步骤之间传输晶圆的操作中,通入保护气体于晶圆载盒,并将所述晶圆载盒中保护气体的实时参数控制在安全范围内;

并根据所述实时参数调整通入的保护气体的量。

可选的,设置传感器于所述晶圆载盒,其中,所述传感器包括:气敏传感器、气压传感器、温度传感器。

可选的,获取所述实时参数包括:通过温度传感器实时检测所述晶圆载盒中的温度;通过气压传感器实时检测所述晶圆载盒中的气压;通过气敏传感器实时检测所述晶圆载盒中的保护气体的浓度、以及水汽的浓度和氧气的浓度。

可选的,所述传感器与自动化搬运系统和保护气体吹扫系统对接。

可选的,当所述晶圆载盒中保护气体的实时参数不在所述安全范围内时,所述自动化搬运系统输出提醒信息。

可选的,设置保护气体浓度的第一阈值;当气敏传感器检测所述晶圆载盒中保护气体浓度的实时参数低于所述第一阈值时,所述自动化搬运系统输出提醒信息,并启动所述保护气体吹扫系统对晶圆载盒内充入保护气体,当保护气体浓度的实时参数达到安全范围时,停止保护气体吹扫系统的充气动作。

可选的,设置水汽浓度的第二阈值,当气敏传感器检测所述晶圆载盒中水汽浓度的实时参数上升到第二阈值时,所述自动化搬运系统输出提醒信息,并启动所述保护气体吹扫系统对晶圆载盒内充入保护气体,置换出水汽,当保护气体浓度的实时参数达到安全范围时,停止保护气体吹扫系统的充气动作。

可选的,设置氧气浓度的第三阈值,当气敏传感器检测所述晶圆载盒中氧气浓度上升到第三阈值时,所述自动化搬运系统输出提醒信息,并启动所述保护气体吹扫系统对晶圆载盒内充入保护气体,置换出氧气,当保护气体浓度的实时参数达到安全范围时,停止保护气体吹扫系统的充气动作。

可选的,重复上述任一项的检测和充气动作,直到所述自动化搬运系统执行搬运动作将晶圆承载盒运送到下一工艺步骤时停止。

可选的,所述保护气体包括:氮气、稀有气体中的至少一种。

本发明的的技术方案还提供一种半导体制造系统,包括:

充气模块,用于将保护气体通入晶圆载盒;

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