[实用新型]一种半导体结构

说明书

本实用新型提供了一种半导体结构，该半导体结构包括半导体基板、导电层、凸块以及金属间化合物；导电层设于所述半导体基板上；凸块设于所述导电层上；金属间化合物设于所述凸块上，且所述金属间化合物为凹凸状。本实用新型通过将金属间化合物设计为凹凸状，使其能够阻挡裂痕向四周延伸，可最小化或防止凸块和焊料层之间的裂痕的延伸以及电连接故障，有效提高良率。

技术领域

本实用新型总体来说涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体结构。

背景技术

芯片进行倒装封装后，经过后续的温度循环可靠性测试时，封装结构中的焊料层和凸块的接合处常常产生裂痕，进而引发电连接故障，降低了芯片的良率。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本实用新型的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种半导体结构，以能够最小化或防止凸块和焊料层之间的裂痕的延伸及电连接故障，有效提高良率。

为实现上述实用新型目的，本实用新型采用如下技术方案：

根据本实用新型的一个方面，提供一种半导体结构，包括半导体基板、导电层、凸块以及金属间化合物；导电层设于所述半导体基板上；凸块设于所述导电层上；金属间化合物设于所述凸块上，且所述金属间化合物为凹凸状。

根据本实用新型一实施方式，所述凸块远离所述半导体基板的一侧具有凹凸表面。

根据本实用新型一实施方式，所述凹凸表面为凹凸状粗糙表面。

根据本实用新型一实施方式，所述凹凸状粗糙表面的表面粗糙度大于0.2。

根据本实用新型一实施方式，还包括焊料层，所述焊料层设于所述金属间化合物上。

根据本实用新型一实施方式，所述焊料层具有与所述金属间化合物配合的凹凸状表面。

根据本实用新型一实施方式，所述金属间化合物的剖面呈梳状结构。

根据本实用新型一实施方式，还包括凸块下金属层，设于所述凸块与所述导电层之间。

根据本实用新型一实施方式，所述凸块下金属层包覆所述凸块的侧壁。

根据本实用新型一实施方式，还包括焊料层，所述焊料层设于所述金属间化合物上；所述焊料层与所述凸块下金属层连接并界定一封闭腔室，所述凸块封闭于所述封闭腔室。

由上述技术方案可知，本实用新型的半导体结构的优点和积极效果在于：

一方面，相比现有技术中半导体结构的呈平面结构的金属间化合物，本实用新型的半导体结构的金属间化合物呈凹凸状，即该金属间化合物呈3D结构，当在该金属间化合物的某处发生一微小裂痕时，由于3D结构的存在，会阻挡裂痕向四周延伸，可最小化或防止半导体结构中的裂痕的延伸及电连接故障，有效提高良率。

另一方面，凸块的凹凸表面为粗糙表面，使该凹凸表面更加粗糙，进一步增大了焊料层与凸块的接触面积，还使得凸块与焊料层之间形成的金属间化合物形成褶皱的表面，该褶皱的表面更加有力地阻挡裂痕向四周延伸。

再一方面，本实用新型的凸块的与焊料层接合的表面设计为凹凸表面，通过将凹凸表面的多个凹部和多个凸部设计为阻绝层结构，从而引导焊料层焊料的溢出方向，使其往距离最远的相邻凸块溢流，以能够最小化或防止由于基板变形而引起的焊桥问题。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施方式，本实用新型的上述和其它特征及优点将变得更加明显。