[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201922107979.3 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN210640232U | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 庄凌艺 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 阚梓瑄;孙宝海 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
半导体基板；
导电层，设于所述半导体基板上；
凸块，设于所述导电层上；以及
金属间化合物，设于所述凸块上，且所述金属间化合物为凹凸状。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸块远离所述半导体基板的一侧具有凹凸表面。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述凹凸表面为凹凸状粗糙表面。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述凹凸状粗糙表面的表面粗糙度大于0.2。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括焊料层，所述焊料层设于所述金属间化合物上。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述焊料层具有与所述金属间化合物配合的凹凸状表面。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属间化合物的剖面呈梳状结构。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括凸块下金属层，设于所述凸块与所述导电层之间。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述凸块下金属层包覆所述凸块的侧壁。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括焊料层，所述焊料层设于所述金属间化合物上；所述焊料层与所述凸块下金属层连接并界定一封闭腔室，所述凸块封闭于所述封闭腔室。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922107979.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于空气净化和智能音响的一体式LED灯具
- 下一篇：一种防爆绝缘电缆
