[实用新型]半导体结构及动态随机存储器

说明书

本实用新型提供一种半导体结构及动态随机存储器，所述制备方法包括如下步骤：在衬底上形成沟槽；在沟槽中形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层至少覆盖所述沟槽内侧壁，所述栅极绝缘层的内侧壁由上部内侧壁及下部内侧壁组成；在栅极绝缘层内形成导电层，所述导电层填满所述所述栅极绝缘层下部内侧壁对应的沟槽区域，所述栅极绝缘层及所述导电层形成所述埋入式栅极；在栅极绝缘层上形成绝缘补偿层，所述绝缘补偿层覆盖所述栅极绝缘层的上部内侧壁；在所述沟槽内形成介电层，所述介电层至少覆盖所述导电层的顶面及所述绝缘补偿层的内侧壁。本实用新型利用绝缘补偿层增加栅极绝缘层的厚度，从而避免栅极漏电流的产生，提高器件的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种具有埋入式栅极的半导体结构及动态随机存储器。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种广泛应用多计算机系统的半导体存储器。随着半导体集成电路器件特征尺寸的不断缩小，DRAM的关键尺寸也越来越小，难度也越来越大，并且易失性存储器被广泛应用于个人电脑及消费性电子产品中，市场需求比较大。随着DRAM制程技术来到20nm左右，埋入式字线(Buried word line)能增加半导体制程的工艺集成度，在缩小元件尺寸方面优势显得格外明显。但是，受埋入式字线制程的限制，所述动态随机存储器可能会存在栅极漏电流，降低器件的稳定性。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种埋具有埋入式栅极的半导体结构及动态随机存储器，其能够避免栅极漏电流产生，提高器件的稳定性。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种

具有埋入式栅极的半导体结构，其包括：衬底，所述衬底具有沟槽；埋入式栅极，包括栅极绝缘层及导电层，所述栅极绝缘层至少覆盖所述沟槽的内侧壁，所述栅极绝缘层的内侧壁由上部内侧壁及下部内侧壁组成，所述导电层填满所述栅极绝缘层下部内侧壁对应的沟槽区域；绝缘补偿层，覆盖所述栅极绝缘层的上部内侧壁；介电层，至少覆盖所述导电层的顶面及所述绝缘补偿层的内侧壁。

进一步，所述导电层包括第一子导电层及第二子导电层，所述第一子导电层覆盖所述栅极绝缘层的下部内侧壁，所述第二子导电层填满所述栅极绝缘层的下部内侧壁对应的沟槽区域。

进一步，所述第一子导电层的顶面与所述第二子导电层的顶面平齐。

进一步，所述栅极绝缘层还覆盖所述衬底的上表面。

进一步，所述介电层还覆盖所述栅极绝缘层的上表面。

进一步，所述衬底内设置有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构定义出多个有源区，所述导电层沿第一方向延伸，并穿过所述有源区。

本实用新型还提供一种动态随机存储器，其包括如上所述的半导体结构。

本实用新型的优点在于，在栅极绝缘层被减薄的区域形成绝缘补偿层，增加该处绝缘层的厚度，从而避免栅极漏电流的产生，提高器件的稳定性。

附图说明

图1是本实用新型具有埋入式栅极的半导体结构的制备方法的一具体实施方式的步骤示意图；

图2A～图2I是图1所示制备方法的工艺流程图；

图3A～图3I在衬底上形成沟槽的方法的工艺流程图；

图4是本实用新型半导体结构的一具体实施方式的剖面图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型提供的半导体结构及动态随机存储器的具体实施方式做详细说明。