[实用新型]半导体结构及动态随机存储器

权利要求书

1.一种具有埋入式栅极的半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有沟槽；

埋入式栅极，包括栅极绝缘层及导电层，所述栅极绝缘层至少覆盖所述沟槽的内侧壁，所述栅极绝缘层的内侧壁由上部内侧壁及下部内侧壁组成，所述导电层填满所述栅极绝缘层下部内侧壁对应的沟槽区域；

绝缘补偿层，覆盖所述栅极绝缘层的上部内侧壁；

介电层，至少覆盖所述导电层的顶面及所述绝缘补偿层的内侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电层包括第一子导电层及第二子导电层，所述第一子导电层覆盖所述栅极绝缘层的下部内侧壁，所述第二子导电层填满所述栅极绝缘层的下部内侧壁对应的沟槽区域。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一子导电层的顶面与所述第二子导电层的顶面平齐。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极绝缘层还覆盖所述衬底的上表面。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层还覆盖所述栅极绝缘层的上表面。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底内设置有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构定义出多个有源区，所述导电层沿第一方向延伸，并穿过所述有源区。

7.一种动态随机存储器，其特征在于，包括如权利要求1～6任意一项所述的半导体结构。