[实用新型]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：

第一封装体，所述第一封装体包括第一封装基板、第一芯片、第一塑封层、第一导热胶层、第一导热引线及第一散热层；所述第一芯片键合于所述第一封装基板的上表面；所述第一塑封层位于所述第一封装基板和所述第一芯片的上表面，且将所述第一芯片塑封；所述第一导热胶层位于所述第一塑封层的侧壁；所述第一导热引线位于所述第一塑封层内，且两端分别与所述第一芯片和所述第一导热胶层相连接；所述第一散热层位于所述第一导热胶层远离所述第一塑封层的侧壁表面；

第二封装体，位于所述第一封装体的上方；所述第二封装体包括第二封装基板、第二芯片、第二塑封层、第二导热胶层、第二导热引线及第二散热层；所述第二封装基板位于所述第一塑封层的上方；所述第二芯片键合于所述第二封装基板的上表面；所述第二塑封层位于所述第二封装基板和所述第二芯片的上表面，且将所述第二芯片塑封；所述第二导热胶层位于所述第二塑封层的侧壁；所述第二导热引线位于所述第二塑封层内，且两端分别与所述第二芯片和所述第二导热胶层相连接；所述第二散热层位于所述第二导热胶层远离所述第二塑封层的侧壁表面；

第三封装体，位于所述第二封装体的上方；所述第三封装体包括第三封装基板、第三芯片及第三塑封层；所述第三封装基板位于所述第二塑封层的上方；所述第三芯片键合于所述第三封装基板的上表面；所述第三塑封层位于所述第三封装基板和所述第三芯片的上表面，且将所述第三芯片塑封。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一芯片通过第一键合引线键合于所述第一封装基板的上表面，所述第二芯片通过第二键合引线键合于所述第二封装基板的上表面，所述第一键合引线、第二键合引线、第一导热引线和第二导热引线的材料均相同。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一导热胶层与所述第二导热胶层相接触，所述第一散热层与所述第二散热层相接触。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构还包括多个电连接结构，所述多个电连接结构分布于所述第一塑封层和所述第二塑封层内，以将所述第一封装体、第二封装体及第三封装体电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一散热层和所述第二散热层均包括金属主体层和位于所述金属主体层表面的镀膜层。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第三塑封层的厚度大于所述第一塑封层和所述第二塑封层的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构还包括焊球凸块及底部填充层，均位于所述第一封装基板的下表面；所述焊球凸块被所述底部填充层部分包覆。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构还包括第三导热胶层、第三导热引线及第三散热层；所述第三导热胶层位于所述第三塑封层的上表面；所述第三导热引线位于所述第三塑封层内，且两端分别与所述第三芯片及所述第三导热胶层相连接；所述第三散热层位于所述第三导热胶层远离所述第三塑封层的表面。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第三散热层沿所述第三导热胶层的侧壁向下延伸至与所述第二散热层相接触。

10.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一导热胶层、第二导热胶层及第三导热胶层均为导电银胶层。