[发明专利]一种IGBT模块及其封装方法在审

专利信息
申请号: 201911386978.5 申请日: 2019-12-29
公开(公告)号: CN111128941A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 罗文华;陈华军 申请(专利权)人: 昆山晶佰源半导体科技有限公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L29/739;H01L25/16;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/52
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地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 igbt 模块 及其 封装 方法
【说明书】:

发明公开了一种IGBT模块及其封装方法,包括底板和外壳,所述底板上固定有DBC基板和芯片,所述DBC基板和芯片连接有导线,所述DBC基板上固定有主电极和E、G铜柱,所述主电极和E、G铜柱上固定有PCB板,且主电极和E、G铜柱贯穿PCB板,所述E、G铜柱分别通过连接线与E、G电极连接,所述外壳安装在底板上,且外壳将底板上的元器件进行封装,所述主电极和E、G电极延伸至外壳外侧,且主电极延伸出外壳后弯折为水平状。本发明,内部工艺更简单,减少了引线焊接工序;IGBT内部封装,E极和G极通过PCB板走线连出到外部E、G电极;通过PCB载体可附加IGBT驱动IC或IGBT阻容保护器件,使IGBT模块内部本身具有驱动、保护等功能,减少外部电路的复杂程度。

技术领域

本发明涉及IGBT模块技术领域,具体是一种IGBT模块及其封装方法。

背景技术

IGBT模块做为新能源电力领域的核心器件,越来越受到重视,国家也投入大量的财力物力来支持IGBT产业的发展。目前国内封装企业IGBT封装在结构设计及封装工艺上大都按照国际大厂的标准进行设计和工艺设定。目前IGBT封装工艺:芯片、DBC、底板焊接→铝线绑定→主电极焊接→E,G电极用绝缘软铜线与外部电极焊接→装壳→灌胶;本发明跳开目前的设计思路,采用新的理念,使IGBT模块封装内部具有可扩展性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种IGBT模块及其封装方法,以解决现有技术中的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种IGBT模块,包括底板和外壳,所述底板上固定有DBC基板和芯片,所述DBC基板和芯片连接有导线,所述DBC基板上固定有主电极和E、G铜柱,所述主电极和E、G铜柱上固定有PCB板,且主电极和E、G铜柱贯穿PCB板,所述E、G铜柱分别通过连接线与E、G电极连接,所述外壳安装在底板上,且外壳将底板上的元器件进行封装,所述主电极和E、G电极延伸至外壳外侧,且主电极延伸出外壳后弯折为水平状。

优选的,所述DBC基板和芯片均焊接在底板上。

优选的,所述主电极和E、G铜柱均焊接在DBC基板上。

优选的,所述PCB板焊接在主电极和E、G铜柱上。

优选的,一种IGBT模块的封装方法,包括以下步骤:

步骤一:芯片、DBC基板、底板的焊接:将芯片、DBC基板焊接在底板上;

步骤二:铝线绑定:将芯片、DBC基板之间通过铝线连接;

步骤三:主电极和E、G电极的焊接:将主电极和E、G电极焊接在DBC基板上;

步骤四:PCB板的焊接:将PCB板焊接在主电极和E、G电极上;

步骤五:外壳的安装:将外壳罩在元器件上,并将外壳与底板进行固定;

步骤六:灌胶。

优选的,步骤四中的PCB板上附加有附加IGBT驱动IC或IGBT阻容保护器中的一种或多种。

优选的,步骤六中所述灌胶为灌冲硅凝胶对模块进行密闭保护。

优选的,所述DBC基板包括氧化铝陶瓷DBC基板、氧化铝陶瓷 DBA基板、氮化硅AMB或氮化铝DBC。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:内部工艺更简单,减少了引线焊接工序;IGBT内部封装,E 极和G极通过PCB板走线连出到外部E、G电极;通过PCB载体可附加IGBT驱动IC或IGBT阻容保护器件,使IGBT模块内部本身具有驱动、保护等功能,从而减少外部电路的复杂程度;封装过程种还可根据客户具体使用,在PCB上做一些功能电路,以满足客制化的需求。

附图说明

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