[发明专利]半导体封装结构及其制备方法

说明书

本发明揭示了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括第一半导体装置，包括第一芯片，第二半导体装置，包括第二芯片，所述第一半导体装置和所述第二半导体装置相对设置；第一绝缘层，覆盖包括所述第一芯片在内的部分所述第一半导体装置和包括所述第二芯片在内的部分所述第二半导体装置，并实现所述第一半导体装置和所述第二半导体装置的隔离和固定；以及第二绝缘层，覆盖所述第一绝缘层。由此，通过第一绝缘层隔离和覆盖相对设置的第一半导体装置和第二半导体装置，并由第二隔离层继续覆盖第一隔离层，可以提高封装产品的耐高压特性，有效防止击穿。相应方法也被披露。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别是涉及一种半导体封装结构及其制备方法。

背景技术

半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。

封装过程例如为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的芯片(Die)，然后将切割好的芯片用胶水贴装到相应的基板(引线框架)架的小岛上，再利用超细的金属(金锡铜铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(Bond Pad)连接到基板的相应引脚(Lead),并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护。塑封之后还要进行一系列操作，例如封装完成后进行成品测试。

但是，封装产品的耐击穿性，依然是业界一直在研究的一个问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种半导体封装结构及其制备方法，提高封装产品的耐高压特性，有效防止击穿。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体封装结构，包括：

第一半导体装置，包括第一芯片，第二半导体装置，包括第二芯片，所述第一半导体装置和所述第二半导体装置相对设置；

第一绝缘层，覆盖包括所述第一芯片在内的部分所述第一半导体装置和包括所述第二芯片在内的部分所述第二半导体装置，并实现所述第一半导体装置和所述第二半导体装置的隔离和固定；以及

第二绝缘层，覆盖所述第一绝缘层。

可选的，对于所述的半导体封装结构，所述第一半导体装置和所述第二半导体装置之间的间距D介于0.05～0.15mm。

可选的，对于所述的半导体封装结构，所述第一半导体装置包括信号发射模块，所述第二半导体装置包括信号接收模块。

可选的，对于所述的半导体封装结构，所述信号发射模块与所述信号接收模块正对设置。

可选的，对于所述的半导体封装结构，所述第一绝缘层的厚度介于1.6～3.6mm，所述第二绝缘层的厚度介于1～2mm。

本发明还提供一种半导体封装结构的制备方法，包括：

制备第一半导体装置和第二半导体装置，所述第一半导体装置包括第一芯片，所述第二半导体装置包括第二芯片；

通过模具夹持所述第一半导体装置和所述第二半导体装置并移动，以到达所述第一半导体装置和所述第二半导体装置的设定相对位置；

进行第一次绝缘封装，形成第一绝缘层以覆盖包括所述第一芯片在内的部分所述第一半导体装置和包括所述第二芯片在内的部分所述第二半导体装置，并隔离和固定所述第一半导体装置和所述第二半导体装置；以及

进行第二次绝缘封装，形成第二绝缘层以覆盖所述第一绝缘层。

可选的，对于所述的半导体封装结构的制备方法，制备第一半导体装置和第二半导体装置的步骤皆包括：

提供衬底；

将芯片设置在所述衬底上；以及

将所述芯片和所述衬底打线连接。