[发明专利]半导体存储器、电容器阵列结构及其制造方法

说明书

本公开是关于一种半导体存储器、电容器阵列结构及其制造方法，该制造方法包括：在间隔层远离半导体衬底的一侧上形成第一介质层；形成贯穿第一介质层与间隔层的多个电容孔，且多个电容孔与多个焊盘位置一一对应；形成随形覆盖电容孔的第一电容介质层，且第一电容介质层露出各焊盘；在半导体衬底设有第一电容介质层的一侧形成随形覆盖第一电容介质层及焊盘的导电层；在导电层远离半导体衬底的一侧形成随形覆盖的第二电容介质层，且第二电容介质层与第一电容介质层远离衬底的一端连接；在半导体衬底设有第二电容介质层的一侧形成覆盖第二电容介质层及第一介质层的第二介质层；在第二介质层远离半导体衬底的一侧形成电极层。

技术领域

本公开涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种电容器阵列结构的制造方法、电容器阵列结构及半导体存储器。

背景技术

半导体存储器件可以分为诸如闪速存储器件的非易失性存储器件和诸如动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的易失性存储器件，DRAM由多个重复的存储单元组成，每个存储单元通常包括有电容器。

目前，DRAM中电容器通常为垂直电容器，垂直电容器是通过形成深槽，利用深槽的侧壁提供主要的极板面积，以此减少电容器在芯片表面的占用面积，同时仍然可以获得较大的电容。

但是，目前DRAM中的垂直电容器在制造过程中，工艺步骤较多，会用到湿法蚀刻工艺，溶剂引起的张力会导致电容结构倒塌。工艺稳定性较低。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种工艺步骤较少、工艺稳定性更高的电容器阵列结构的制造方法、电容器阵列结构及半导体存储器。

根据本公开的一个方面，提供了一种电容器阵列结构的制造方法，该制造方法包括：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底的一侧上形成多个在内存组数结构中的焊盘；

在所述半导体衬底设有所述焊盘的一侧形成覆盖所述焊盘及所述半导体衬底的间隔层；

在所述间隔层远离所述半导体衬底的一侧上形成第一介质层；

形成贯穿所述第一介质层与所述间隔层的多个电容孔，且多个所述电容孔与多个所述焊盘位置一一对应；

形成随形覆盖所述电容孔的第一电容介质层，且所述第一电容介质层露出各所述焊盘；

在所述半导体衬底设有所述第一电容介质层的一侧形成随形覆盖所述第一电容介质层及所述焊盘的导电层；

在所述导电层远离所述半导体衬底的一侧形成随形覆盖的第二电容介质层，且所述第二电容介质层与所述第一电容介质层远离所述衬底的一端连接；

在所述半导体衬底设有所述第二电容介质层的一侧形成覆盖所述第二电容介质层及所述第一介质层的第二介质层；

在所述第二介质层远离所述半导体衬底的一侧形成电极层。

在本公开的一种示例性实施例中，形成随形覆盖所述电容孔的第一电容介质层，且所述第一电容介质层露出各所述电容孔对应的所述焊盘，包括：

在所述半导体衬底设有所述第一介质层的一侧形成覆盖所述第一介质层及所述焊盘的第一电容介质层；

在所述第一电容介质层远离所述半导体衬底的一侧形成氧化物层；

通过干法刻蚀对所述电容孔底部的所述氧化物层及所述第一电容介质层进行刻蚀，以露出所述焊盘；

去除所述氧化物层。