[发明专利]芯片封装的方法、芯片和芯片封装组件在审
| 申请号: | 201911053347.1 | 申请日: | 2019-10-31 |
| 公开(公告)号: | CN110783205A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
| 发明(设计)人: | 赵源;周涛;郭函;曹流圣 | 申请(专利权)人: | 北京比特大陆科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/50;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/498 |
| 代理公司: | 11329 北京龙双利达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 田玉珺;毛威 |
| 地址: | 100192 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基板 制作 开孔 芯片 第二表面 第一表面 芯片封装 布线层 金属层 散热 嵌埋 封装 申请 | ||
1.一种芯片封装的方法,其特征在于,所述方法包括:
在基板上制作开孔;
将芯片嵌埋至所述开孔内;
在所述基板的第一表面,制作用于对所述芯片进行散热的金属层;
在所述基板的第二表面,制作光可成像介质PID层;
在所述PID层上,制作至少一个布线层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述基板的第二表面上,制作PID层,包括:
在所述基板的第二表面上覆盖一层PID材料;
利用光束在所述PID材料上进行扫描,以形成具有至少一个开窗的所述PID层,其中,所述至少一个开窗用于连通芯片与所述至少一个布线层。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述至少一个布线层中的部分布线层在制作所述金属层之前形成,另一部分布线层在制作所述金属层之后形成。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述金属层包括第一金属层和第二金属层,其中,所述第一金属层和所述第二金属层之间设置有间隔层,所述间隔层中设置有至少一个通孔,所述第二金属层覆盖所述间隔层且填充所述至少一个通孔。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述在所述基板的第一表面,制作用于对所述芯片进行散热的金属层,包括:
在所述基板的第一表面上溅射所述第一金属层;
在所述第一金属层上覆盖所述间隔层;
在所述间隔层上刻蚀出所述至少一个通孔;
在具有所述至少一个通孔的所述间隔层上,溅射所述第二金属层。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述至少一个通孔设置在所述间隔层中位于所述芯片上方的部分。
7.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
对所述金属层的表面,进行表面处理。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述对所述第二金属层的表面,进行表面处理,包括:
采用有机可焊性抗氧化处理OSP方式,对所述第二金属层的表面进行表面处理。
9.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述至少一个布线层的表面,制作焊接掩膜,并进行表面处理。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述在所述至少一个布线层的表面,制作焊接掩膜,并进行表面处理,包括:
在所述至少一个布线层的表面,制作焊接掩膜,并采用化学镀镍钯浸金技术ENEPIG进行表面处理。
11.一种芯片,其特征在于,所述芯片基于上述权利要求1至7中任一项所述的方法进行封装。
12.根据权利要求11所述的芯片,其特征在于,封装后的所述芯片为算力芯片,具有相同结构的多个所述算力芯片设置于同一电路板上。
13.一种芯片封装组件,其特征在于,包括:
基板;
芯片,嵌埋在基板上的开孔内;
金属层,制作于所述基板的第一表面上,用于对所述芯片进行散热;
可光成像介质PID层,制作于所述基板的第二表面上;以及,
至少一个布线层,制作于所述PID层上。
14.根据权利要求13所述的芯片封装组件,其特征在于,所述PID层上具有至少一个开窗,所述至少一个开窗基于光束扫描形成,所述至少一个开窗用于连通所述芯片与所述至少一个布线层。
15.根据权利要求13或14所述的芯片封装组件,其特征在于,所述芯片封装组件为算力芯片,具有相同结构的多个所述算力芯片设置于同一电路板上。
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