[发明专利]扇出型半导体封装件

说明书

本公开提供了一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括布线层和虚设层，并且具有凹入部，凹入部的底表面上设置有阻挡层；半导体芯片，设置在凹入部中，使得无效表面与阻挡层相对；第一互连结构，设置在连接焊盘上；第二互连结构，设置在最外层的布线层上；虚设结构，设置在虚设层上；包封剂，包封框架的至少一部分、半导体芯片的至少一部分、第一互连结构的至少一部分、第二互连结构的至少一部分和虚设结构的至少一部分，并且填充凹入部的至少一部分；以及连接构件，设置在框架和半导体芯片的有效表面上，并且包括电连接到第一金属凸块和第二金属凸块的重新分布层。虚设结构具有倾斜的侧表面。

本申请要求于2018年8月28日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0101264号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体封装件，并且更具体地，涉及一种电互连结构可延伸到设置有半导体芯片的区域的外部的扇出型半导体封装件。

背景技术

半导体芯片技术的主要趋势之一是减小组件的尺寸。因此，在半导体封装件的领域中，随着小尺寸化的半导体芯片的消耗的增加，已经需要半导体封装件在实现多个引脚的同时具有减小的尺寸。

满足以上需求的半导体封装件是扇出型半导体封装件。在扇出型半导体封装件中，连接端子重新分布到设置有半导体芯片的区域的外部，使得半导体可在实现多个引脚的同时具有减小的尺寸。

发明内容

本公开的一方面提供一种扇出型半导体封装件，在所述扇出型半导体封装件中，可使用包括具有盲形式的凹入部的框架来设置半导体芯片，因此，当使用磨削工艺时，可测量将框架的布线和/或半导体芯片的连接焊盘电连接到重新分布层的互连结构的剩余厚度。

本公开的另一方面提供一种扇出型半导体封装件，在所述扇出型半导体封装件中，具有倾斜的侧表面的虚设结构或互连结构可设置在框架的最外面的部分中。

根据本公开的一方面，一种扇出型半导体封装件包括：框架，包括多个布线层和虚设层，所述多个布线层彼此电连接，所述虚设层设置在与所述多个布线层中的最外层的布线层的高度相同的高度上，并且所述框架具有凹入部，所述凹入部的底表面上设置有阻挡层；半导体芯片，具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面，并且所述半导体芯片设置在所述凹入部中，使得所述无效表面与所述阻挡层相对；第一互连结构，设置在所述连接焊盘上；第二互连结构，设置在所述最外层的布线层上；虚设结构，设置在所述虚设层上；包封剂，包封所述框架的至少一部分、所述半导体芯片的至少一部分、所述第一互连结构的至少一部分、所述第二互连结构的至少一部分和所述虚设结构的至少部分，并且填充所述凹入部的至少一部分；以及连接构件，设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到第一金属凸块和第二金属凸块的重新分布层。所述虚设结构具有倾斜的侧表面。

根据本公开的另一方面，一种扇出型半导体封装件包括：框架，包括彼此电连接的多个布线层，并且具有凹入部，所述凹入部的底表面上设置有阻挡层；半导体芯片，具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面，并且所述半导体芯片设置在所述凹入部中，使得所述无效表面与所述阻挡层相对；第一互连结构，设置在所述连接焊盘上；第二互连结构，设置在所述多个布线层中的最上层的布线层中的至少一个图案上；第三互连结构，设置在所述多个布线层中的所述最上层的布线层中的至少另一图案上；包封剂，包封所述框架的至少一部分、所述半导体芯片的至少一部分、所述第一互连结构的至少一部分至所述第三互连结构的至少一部分，并且填充所述凹入部的至少一部分；以及连接构件，设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到第一金属凸块和第二金属凸块的重新分布层。所述第三互连结构的侧表面的斜率比所述第二互连结构的侧表面的斜率大。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：