[发明专利]扇出型半导体封装件

权利要求书

1.一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：

框架，包括多个布线层和虚设层，所述多个布线层彼此电连接，所述虚设层设置在与所述多个布线层中的最外层的布线层的高度相同的高度上，并且所述框架具有凹入部，所述凹入部包括设置在所述凹入部的底表面上的阻挡层；

半导体芯片，具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面，并且所述半导体芯片设置在所述凹入部中，使得所述无效表面与所述阻挡层相对；

第一互连结构，设置在所述连接焊盘上；

第二互连结构，设置在所述最外层的布线层上；

虚设结构，设置在所述虚设层上；

包封剂，包封所述框架的至少一部分、所述半导体芯片的至少一部分、所述第一互连结构的至少一部分、所述第二互连结构的至少一部分和所述虚设结构的至少一部分，并且填充所述凹入部的至少一部分；以及

连接构件，设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到第一金属凸块和第二金属凸块的重新分布层，

其中，所述虚设结构具有倾斜的侧表面。

2.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述虚设结构与所述第一互连结构和所述第二互连结构电绝缘。

3.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述虚设结构具有与所述连接构件的绝缘材料接触的顶表面。

4.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述虚设层和所述虚设结构设置在所述框架的最外面的部分中。

5.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述虚设层和所述虚设结构均包括金属材料。

6.根据权利要求5所述的扇出型半导体封装件，其中，所述虚设结构包括：种子层，与所述虚设层的表面和所述包封剂接触；以及导电层，设置在所述种子层上并且填充由所述种子层提供的内部空间，并且

其中，所述导电层与所述包封剂物理地间隔开。

7.根据权利要求5所述的扇出型半导体封装件，其中，所述多个布线层中的至少一个布线层包括接地层，并且所述虚设层和所述虚设结构电连接到所述接地层。

8.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第一互连结构和所述第二互连结构是金属柱。

9.根据权利要求8所述的扇出型半导体封装件，其中，所述金属柱中的每个金属柱的侧表面相对于所述包封剂的上表面大体上竖直地延伸。

10.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第一互连结构和所述第二互连结构以及所述虚设结构埋设在所述包封剂中，使得所述第一互连结构的上表面和所述第二互连结构的上表面以及所述虚设结构的上表面从所述包封剂中暴露。

11.根据权利要求10所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第一互连结构和所述第二互连结构、所述虚设结构以及所述包封剂具有彼此共面的顶表面。

12.根据权利要求10所述的扇出型半导体封装件，其中，所述连接构件包括：绝缘层，设置在所述包封剂上；第一连接过孔和第二连接过孔，贯穿所述绝缘层，并且分别与所述第一互连结构和所述第二互连结构接触；以及所述重新分布层，设置在所述绝缘层上，并且通过所述第一连接过孔和所述第二连接过孔电连接到所述第一互连结构和所述第二互连结构。