[发明专利]一种高分辨率AMOLED显示结构及其制备方法

说明书

本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种高分辨率AMOLED显示结构及其制备方法，包括TFT区域结构，所述TFT区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、第二半导体层、第三金属层、第四绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层，通过将第一半导体层和第二半导体层设置在不同结构层，能够缩小亚像素补偿电路设计需求的尺寸，从而提升面板的分辨率。

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种高分辨率AMOLED显示结构及其制备方法。

背景技术

有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light-emitting diode，缩写为AMOLED)，随着AMOLED屏幕快速抢占市场，如何提升AMOLED显示屏分辨率及显示品质显得非常迫切。现有AMOLED补偿电路TFT半导体层均位于同层，其中AMOLED补偿电路中OLED驱动TFT希望拥有适合的亚阈值摆幅，有利于调整AMOLED灰阶显示(工作于线性区)，但其它TFT又希望拥有小的亚阈值摆幅(工作于饱和区)以实现快速Vth补偿响应，这两类TFT对亚阈值摆幅的需求彼此矛盾。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种高分辨率AMOLED显示结构及其制备方法。

为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：

一种高分辨率AMOLED显示结构，包括TFT区域结构，所述TFT区域结构包括玻璃层，在所述TFT区域结构的玻璃层表面上依次层叠设置有第一金属层、第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、第二半导体层、第三金属层、第四绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层，所述TFT区域结构的第二绝缘层上设有第一过孔，所述第一过孔中填充有第二金属层，所述第二金属层分别与所述TFT区域结构的第一半导体层远离所述TFT区域结构的玻璃层的一侧面和所述TFT区域结构的第二绝缘层远离所述TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触，所述TFT区域结构的第四绝缘层上设有第二过孔，所述TFT区域结构的第一有机层上设有第三过孔，所述第二过孔与所述第三过孔相对设置且连通，所述第二过孔和第三过孔中均填充有第四金属层，所述第四金属层与所述TFT区域结构的第三金属层远离所述TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触。

本发明采用的第二种技术方案为：

一种高分辨率AMOLED显示结构的制备方法，包括以下步骤：

S1、提供一TFT区域结构的玻璃层，且在玻璃层表面上覆盖有第一金属层；

S2、形成第一绝缘层，且覆盖于所述第一金属层表面；

S3、形成第一半导体层，且覆盖于所述第二绝缘层表面；

S4、形成第二绝缘层，且覆盖于所述第一绝缘层表面，在所述第二绝缘层中形成第一过孔；

S5、在第一过孔中形成第二金属层，所述第二金属层与所述第一半导体层接触；

S6、形成第三绝缘层，且覆盖于所述第二金属层表面；

S7、形成第二半导体层，且覆盖于所述第三绝缘层表面；

S8、形成第三金属层，且覆盖于所述第二半导体层表面；

S9、形成第四绝缘层，且覆盖于所述第三金属层表面，在所述第四绝缘层中形成第二过孔；

S10、形成第一有机层，且覆盖于所述第四绝缘层表面，在所述第一有机层中形成第三过孔，所述第三过孔与所述第二过孔相对设置且连通；

S11、分别在第二过孔和第三过孔中形成第四金属层，所述第四金属层覆盖于所述第一有机层表面且与所述第三金属层远离玻璃层的一侧面接触；