[发明专利]半导体装置

说明书

得到能够防止从装置端部向装置内部的水分浸入的半导体装置。半导体衬底(1)具有设置有器件的单元区域(2)、以及在单元区域(2)的周围设置的末端区域(3)。第1绝缘膜(7)在末端区域(3)设置于半导体衬底(1)之上，具有多个开口(8b、8c、8d)。多个金属电极(10、11)设置于末端区域(3)，经由多个开口(8b、8c)与半导体衬底(1)连接。与第1绝缘膜(7)相比吸湿率低的第2绝缘膜(12)将第1绝缘膜(7)及多个金属电极(10、11)覆盖。在从多个金属电极(10、11)中的最外周的电极(11)至半导体衬底(1)的端部为止的区域，第2绝缘膜(12)与半导体衬底(1)直接接触。

技术领域

本发明涉及在装置表面设置有保护膜的半导体装置。

背景技术

以半导体装置的保护为目的，在装置表面设置由无机材料或有机材料构成的保护膜。作为无机保护膜使用了硅氧化膜或硅氮化膜。特别地，由于硅氮化膜对水分的透过性小，因此用作防止来自外部的水分的侵入的最表面的保护膜。

在对半导体封装体进行了模拟高温高湿环境的THB试验(Temperature HumidityBias Test)的情况下，有时由于水分的侵入而使器件产生故障。如果水分侵入到封装体内，则有时水分在封装材料中扩散而到达半导体装置。有时该水分从装置端部侵入至装置内部，铝电极受到腐蚀，器件产生故障。如果在保护环的铝电极产生腐蚀，则不能保持耐压而导致泄露故障及耐压故障。相对于此，提出了在半导体衬底的表面作为保护膜层叠了硅氧化膜和硅氮化膜的半导体装置(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本专利第4710224号公报

在现有技术中，能够防止从装置表面向装置内部的垂直方向的水分浸入。但是，不能够防止从装置端部通过硅氧化膜或通过硅氧化膜和硅氮化膜的界面向装置内部的水平方向的水分浸入。

发明内容

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到能够防止从装置端部向装置内部的水分浸入的半导体装置。

本发明涉及的半导体装置的特征在于具备：半导体衬底，其具有设置有器件的单元区域、以及在所述单元区域的周围设置的末端区域；第1绝缘膜，其在所述末端区域设置于所述半导体衬底之上，具有多个开口；多个金属电极，它们设置于所述末端区域，经由所述多个开口与所述半导体衬底连接；以及第2绝缘膜，其覆盖所述第1绝缘膜及所述多个金属电极，与所述第1绝缘膜相比吸湿率低，在从所述多个金属电极中的最外周的电极至所述半导体衬底的端部为止的区域，所述第2绝缘膜与所述半导体衬底直接接触。

发明的效果

在本发明中，在从最外周的电极至半导体衬底的端部为止的区域，吸湿率低的第2绝缘膜与半导体衬底直接接触。由此，能够防止从装置端部向装置内部的水分浸入。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的俯视图。

图2是沿图1的I-II的剖视图。

图3是表示对比例涉及的半导体装置的剖视图。

图4是表示实施方式1涉及的半导体装置的变形例1的剖视图。

图5是表示实施方式1涉及的半导体装置的变形例2的剖视图。

图6是表示实施方式2涉及的半导体装置的剖视图。

图7是表示实施方式2涉及的半导体装置的变形例的剖视图。

图8是表示实施方式3涉及的半导体装置的剖视图。

标号的说明