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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN201910222300.7有效
  • 森本升 - 三菱电机株式会社
  • 2019-03-22 - 2023-07-14 - H01L23/28
  • 得到能够防止从装置端部向装置内部的水分浸入的半导体装置。半导体衬底(1)具有设置有器件的单元区域(2)、以及在单元区域(2)的周围设置的末端区域(3)。第1绝缘膜(7)在末端区域(3)设置于半导体衬底(1)之上，具有多个开口(8b、8c、8d)。多个金属电极(10、11)设置于末端区域(3)，经由多个开口(8b、8c)与半导体衬底(1)连接。与第1绝缘膜(7)相比吸湿率低的第2绝缘膜(12)将第1绝缘膜(7)及多个金属电极(10、11)覆盖。在从多个金属电极(10、11)中的最外周的电极(11)至半导体衬底(1)的端部为止的区域，第2绝缘膜(12)与半导体衬底(1)直接接触。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件-CN200510138044.1无效
  • 古泽健志;松本雅弘;森本升;松浦正纯 - 株式会社瑞萨科技
  • 2005-11-15 - 2006-08-16 - H01L23/00
  • 一种半导体器件，包括：在内部形成了铜布线(19)的低介电常数膜(5a～5c)；配置在低介电常数膜(5c)的上侧的氧化硅膜(6，7a)；配置在氧化硅膜(6，7a)的上侧的表面保护膜(43)；围绕电路形成区域的周围而形成的密封环(23)；平视时形成在密封环(23)的外侧的槽部(22)。槽部(22)形成为其底部位于比低介电常数膜(5c)更上侧的位置，其底部为比铜布线(19)的上端更低。
  • 半导体器件
  •  1 
  • 共 3 条
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