[发明专利]有机图像传感器在审
申请号: | 201910160093.7 | 申请日: | 2019-03-04 |
公开(公告)号: | CN110556397A | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 崔珉准;金宽植;李范硕;林海敏;赵万根 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/44 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机图像传感器 像素电极 有机光电转换层 第一电极 绝缘区 突出部 第二电极 | ||
提供了一种有机图像传感器。有机图像传感器包括包含彼此间隔开的多个第一电极的像素电极。有机图像传感器包括包含突出超过所述多个第一电极的表面的突出部的绝缘区。有机图像传感器包括在像素电极和绝缘区的突出部上的有机光电转换层。此外,有机图像传感器包括与像素电极相对并且在有机光电转换层上的第二电极。
技术领域
本公开涉及图像传感器。
背景技术
为了获得高分辨率图像,图像传感器(或固态成像器件)中的像素数量已增加。在图像传感器中,当像素的尺寸减小时,光电器件的光接收区域会缩小,因而光学灵敏度会降低。
因此,堆叠有机图像传感器已作为一种图像传感器被提出,在堆叠有机图像传感器中,有机光电器件堆叠在形成于半导体基板上的半导体光电器件上。有机图像传感器中的有机光电器件可以包括有机光电转换层。
发明内容
本发明构思提供了一种有机图像传感器,其包括在有机光电转换层与绝缘层和/或电极之间具有提高的粘附力的有机光电器件。提高的粘附力可以提高有机图像传感器的制造产量和/或有机图像传感器的可靠性。
根据本发明构思的一些实施方式,一种有机图像传感器可以包括包含彼此间隔开的多个第一电极的像素电极。该有机图像传感器可以包括绝缘区,该绝缘区包括突出超过所述多个第一电极的表面的突出部。该有机图像传感器可以包括在像素电极和绝缘区的突出部上的有机光电转换层。此外,该有机图像传感器可以包括与像素电极相对并且在有机光电转换层上的第二电极。
根据本发明构思的一些实施方式,一种有机图像传感器可以包括半导体基板。该有机图像传感器可以包括在半导体基板上的像素电路。该有机图像传感器可以包括在像素电路上的层间绝缘层。该有机图像传感器可以包括有机光电器件。该有机光电器件可以包括像素电极,该像素电极包括彼此间隔开并且通过层间绝缘层上的隔离绝缘层彼此绝缘的多个第一电极。该有机光电器件可以包括从所述多个第一电极之间的隔离绝缘层的表面突出的脊部。该有机光电器件可以包括在像素电极和脊部上的有机光电转换层。该有机光电器件可以包括对向电极,该对向电极与像素电极相对并且包括在有机光电转换层上的第二电极。此外,该有机图像传感器可以包括通路电极,该通路电极在层间绝缘层中并且将像素电路电连接到像素电极。
根据本发明构思的一些实施方式,一种有机图像传感器可以包括半导体基板。该有机图像传感器可以包括在半导体基板上的半导体光电器件。该有机图像传感器可以包括电连接到半导体基板上的半导体光电器件的第一像素电路。该有机图像传感器可以包括有机光电器件,该有机光电器件堆叠在半导体光电器件上并且包括有机光电转换层。此外,该有机图像传感器可以包括电连接到半导体基板上的有机光电器件的第二像素电路。该有机光电器件可以包括包含多个第一电极的像素电极。该有机光电器件可以包括绝缘区,该绝缘区包括在所述多个第一电极之间的第一部分和向上突出超过所述多个第一电极的各上表面的突出的第二部分。有机光电转换层可以在像素电极和绝缘区的突出的第二部分上。绝缘区的第一部分可以包括使所述多个第一电极彼此隔离的隔离绝缘层。此外,该有机光电器件可以包括与像素电极相对并且在有机光电转换层上的第二电极。
附图说明
本发明构思的实施方式将由以下结合附图的详细描述被更清楚地理解,附图中:
图1是根据本发明构思的一些实施方式的包括有机图像传感器的图像处理装置的框图;
图2是根据本发明构思的一些实施方式的有机图像传感器的像素的俯视图;
图3是根据本发明构思的一些实施方式的有机图像传感器的一部分的剖视图;
图4是根据本发明构思的一些实施方式的有机图像传感器的一部分的放大图;
图5是根据本发明构思的一些实施方式的有机图像传感器的一部分的放大图;
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- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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