[发明专利]有机图像传感器在审
| 申请号： | 201910160093.7 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN110556397A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 崔珉准;金宽植;李范硕;林海敏;赵万根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/30 | 分类号： | H01L27/30;H01L51/44 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种有机图像传感器。有机图像传感器包括包含彼此间隔开的多个第一电极的像素电极。有机图像传感器包括包含突出超过所述多个第一电极的表面的突出部的绝缘区。有机图像传感器包括在像素电极和绝缘区的突出部上的有机光电转换层。此外，有机图像传感器包括与像素电极相对并且在有机光电转换层上的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 有机图像传感器 像素电极 有机光电转换层 第一电极 绝缘区 突出部 第二电极 | ||
【主权项】：
1.一种有机图像传感器，包括：/n像素电极，包括彼此间隔开的多个第一电极；/n绝缘区，包括突出超过所述多个第一电极的表面的突出部；/n有机光电转换层，在所述像素电极和所述绝缘区的所述突出部上；以及第二电极，与所述像素电极相对并且在所述有机光电转换层上。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910160093.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路及其形成方法
- 下一篇：电子装置及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
