[发明专利]可变电容器平带电压工程在审
| 申请号： | 201880086382.0 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111656533A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | F·A·马里诺;N·卡尼克;F·卡洛波兰蒂;P·梅内格利;Q·梁 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/94;H01L29/36;H01L29/165 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈炜;唐杰敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的某些方面提供了半导体可变电容器。一个示例半导体可变电容器通常包括半导体区，绝缘层和第一非绝缘区，该绝缘层被布置在半导体区与第一非绝缘区之间。在某些方面，半导体可变电容器还可包括毗邻于半导体区布置的第二非绝缘区和毗邻于半导体区布置的第三非绝缘区，第二非绝缘区和第三非绝缘区具有不同掺杂类型。在某些方面，半导体可变电容器还可包括在半导体区与绝缘层之间布置的注入区。注入区可用于调整半导体可变电容器的平带电压。 | ||
| 搜索关键词： | 可变电容器 电压 工程 | ||
【主权项】：
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- BiCMOS工艺中的PN结变容器及制造方法-201010585008.0
- 陈帆;陈雄斌 - 上海华虹NEC电子有限公司
- 2010-12-13 - 2012-07-04 - H01L29/93
- 本发明公开了一种BiCMOS工艺中的PN结变容器，包括一N型区、P型区和一N型赝埋层。N型区和P型区形成于有源区中并相接触形成PN结，P型区处于N型区的上部。N型赝埋层形成于有源区两侧的浅槽场氧的底部并和N型区相接触，通过在N型赝埋层顶部的浅槽场氧中形成深孔接触引出N型区。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的PN结变容器的制造方法。本发明器件能大大减少器件的面积、减少器件的传导电阻，同时还能保持良好的器件性能，还能作为BiCMOS高频电路中的输出器件。
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