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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器-CN201910342663.4有效
发明人：森胁俊贵 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了具有低暗电流的有机光电转换元件、摄像装置、光学传感器和光电转换元件制造方法。光电转换元件是通过如下方式提供的：形成有机光电转换层以作为第一电极的上层，所述有机光电转换层包含一种或多种类型的有机半导体材料；形成缓冲层以作为所述有机光电转换层的上层，所述缓冲层由非晶无机材料构成并具有7.7至8.0eV的能级，且所述有机光电转换层与所述缓冲层之间具有2eV以上的HOMO能级差；以及形成第二电极以作为所述缓冲层的上层。
光电转换元件及其制造方法成像装置光学传感器

[发明专利]光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器-CN201910342621.0有效
发明人：森胁俊贵 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明提供了具有低暗电流的有机光电转换元件、摄像装置、光学传感器和光电转换元件制造方法。光电转换元件是通过如下方式提供的：形成有机光电转换层以作为第一电极的上层，所述有机光电转换层包含一种或多种类型的有机半导体材料；形成缓冲层以作为所述有机光电转换层的上层，所述缓冲层由非晶无机材料构成并具有7.7至8.0eV的能级，且所述有机光电转换层与所述缓冲层之间具有2eV以上的HOMO能级差；以及形成第二电极以作为所述缓冲层的上层。
光电转换元件及其制造方法成像装置光学传感器

[发明专利]光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器-CN201580027505.X有效
发明人：森胁俊贵 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明提供了具有低暗电流的有机光电转换元件、摄像装置、光学传感器和光电转换元件制造方法。光电转换元件是通过如下方式提供的：形成有机光电转换层以作为第一电极的上层，所述有机光电转换层包含一种或多种类型的有机半导体材料；形成缓冲层以作为所述有机光电转换层的上层，所述缓冲层由非晶无机材料形成并具有7.7至8.0eV的能级，且所述有机光电转换层与所述缓冲层之间具有2eV以上的HOMO能级差；以及形成第二电极以作为所述缓冲层的上层。
光电转换元件成像装置光学传感器制造方法

[发明专利]光电转换元件和固态摄像装置-CN201880075041.3在审
发明人：河合信宏;澁田宏和 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施例的光电转换元件设有：有机光电转换部，其包括第一电极、第二电极和有机光电转换层，第一电极包括一个电极和其它电极，第二电极布置成与第一电极相对，有机光电转换层布置在第一电极和第二电极之间并且电连接到一个电极，有机光电转换层和其它电极之间设置有绝缘层；无机光电转换部，其布置成使得第一电极布置在无机光电转换部和有机光电转换部之间；以及光学滤波器，其布置在有机光电转换部和无机光电转换部之间。
光电转换元件固态摄像装置

[实用新型]曲面有机高分子光电转换复合层结构-CN201620188986.4有效
发明人：廖世文 -专利权人：位元奈米科技股份有限公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型有关于一种曲面有机高分子光电转换复合层结构，是以将具有一有机高分子光电转换材料层、一封合胶及至少一透明塑料层组成平面片材的有机高分子光电转换复合层结构后，将该有机高分子光电转换复合层结构经模具热压形成具有曲面有机高分子光电转换复合层结构，该曲面有机高分子光电转换复合层结构上具有一立体的凹陷部。
曲面有机高分子光电转换复合结构

[发明专利]光电转换元件和固态摄像器件-CN201880072324.2在审
发明人：内野直喜;村上洋介;君岛美树;西寿朗 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：根据本公开的一实施例的光电转换元件包括第一电极；第二电极，其与所述第一电极相对地布置；和有机光电转换层，其设置在所述第一电极和所述第二电极之间。所述有机光电转换层在层内具有一种有机半导体材料的畴。所述一种有机半导体材料的畴具有在膜厚方向上垂直地延伸穿过所述有机光电转换层的渗滤结构，并且在所述有机光电转换层的平面方向上的畴长度小于在所述有机光电转换层的膜厚方向上的畴长度。
光电转换元件固态摄像器件

[发明专利]光电转换元件及其制造方法-CN201180074244.9有效
发明人：百濑悟 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明的光电转换元件具备阳极（2）、阴极（5）、光电转换层（4）和设于阳极与光电转换层之间的含有MoO3的缓冲层（3），上述光电转换层（4）含有聚‑[N‑9”‑十七烷基‑2,7‑咔唑‑交替‑5,5‑（4’,7’‑二‑2‑噻吩基2’,1’,3’‑苯并噻二唑）]作为p型有机半导体材料且含有富勒烯或富勒烯衍生物作为n型有机半导体材料，光电转换层的与缓冲层相接的区域中的p型有机半导体材料的比率高于光电转换层整体中的p型有机半导体材料的比率，且光电转换层的比与缓冲层相接的区域更靠近阴极侧的区域中的p型有机半导体材料的比率低于光电转换层整体中的p型有机半导体材料的比率。
光电转换元件及其制造方法

[发明专利]光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备-CN201310528746.5有效
发明人：宇高融;榎修;村田昌树;森本类;新井龙志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。其中，光电转换元件具备有机光电转换膜，夹着有机光电转换膜而设置的第一电极及第二电极，以及设于第二电极和有机光电转换膜之间的电荷阻挡层，电荷阻挡层具有包含用于调整有机光电转换膜的第二电极侧的功函数的金属元素的功函数调整层，以及设于功函数调整层与第二电极之间、抑制金属元素向第二电极侧扩散的第一扩散抑制层。
光电转换元件固体摄像装置以及电子设备

[发明专利]一种织物作为衬底的有机太阳能电池及其制备方法-CN201510400684.9有效
发明人：甄红宇;凌启淡 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及织物作为衬底的有机太阳能电池及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤1)在衬底上通过无电沉积法制备金属电极；在制备有PSS层的硅片或玻璃上制备有机光电转换层；2)使有机光电转换层形成的薄膜漂在去离子水水面上，使有机光电转换层形成的薄膜贴于织物的金属电极上，捞起晾干；3)在织物上滴加界面修饰层溶液形成电极界面修饰层；4)在有机光电转换层上制备透明上电极。本发明方法利用有机光电转换层具有有机聚合物薄膜特有的柔韧性和无支持独立存在性，将有机太阳能电池中的有机光电转换层与织物衬底的有机结合，拓宽有机太阳能电池的应用领域。
一种织物作为衬底有机太阳能电池及其制备方法

[发明专利]光电转换器件以及传感器和电子设备-CN202011221292.3在审
发明人：洪慧林;崔泰溱;许哲准;朴敬培;林宣晶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：公开了光电转换器件以及传感器和电子设备，所述光电转换器件包括：第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层，所述光电转换层包括p型半导体和n型半导体；以及在所述第一电极和所述光电转换层之间的有机缓冲层，所述有机缓冲层包括有机缓冲材料，其中所述有机缓冲材料的LUMO能级和所述n型半导体的LUMO能级之间的差大于或等于约1.2eV，并且所述有机缓冲材料包括至少三个咔唑部分。所述传感器和电子设备包括所述光电转换器件。
光电转换器件以及传感器电子设备

[发明专利]有机光电转换元件的制造方法和有机光电转换元件-CN200780015742.X有效
发明人：荒牧晋司;佐藤佳晴 -专利权人：三菱化学株式会社;独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2007-05-01 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供有机光电转换元件的制造方法，其能够通过涂布工艺制造长寿命的有机光电转换元件或能够得到光电转换特性优于以往的有机光电转换元件，为此，在制造具有基板、形成在上述基板上的其至少一方是透明的一对电极和形成在上述电极之间的活性层的有机光电转换元件的制造方法中，通过涂布法形成该活性层，并且使该活性层含有颜料。
有机光电转换元件制造方法

[发明专利]有机/无机混合光电转换元件及使用其的太阳能电池模块-CN202110031139.2在审
发明人：宫西晋太郎;杉村博 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：提供一种有机/无机混合光电转换元件及使用其的太阳能电池模块,所述有机/无机混合光电转换元件具备包含有机类感光体材料的感光体层,能够实现比以往高的光电转换效率。有机/无机混合光电转换元件在基体上依次形成有具有透光性的导电膜/第一氧化钛层/氮化钛层的层叠膜上,形成有包含有机类感光体材料的感光体层。
有机无机混合光电转换元件使用太阳能电池模块

[发明专利]光电转换器件及有机传感器和电子设备-CN201911034343.9在审
发明人：许哲准;朴敬培;姜铉范;朴性俊;朴正一;白铁;申智琇;尹晟荣;李启滉;李敦旭;李恩庆;陈勇完;崔容硕;崔泰溱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换器件及有机传感器和电子设备。光电转换器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间且配置为吸收在光的波长谱的至少一部分中的光并将其转换为电信号的光电转换层、以及在所述第一电极和所述光电转换层之间且具有比光电转换层的电荷迁移率高的电荷迁移率的有机辅助层有机传感器可包括所述光电转换器件。电子设备可包括所述有机传感器。
光电转换器件有机传感器电子设备

[发明专利]有机光电转换元件及摄像装置-CN201410691943.3在审
发明人：高须勋;和田淳;野村裕子;伊藤真知子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及有机光电转换元件及摄像装置。本发明提供一种能够抑制暗电流的有机光电转换元件以及使用有机光电转换元件的摄像装置。实施方式的有机光电转换元件依次具有正极、第1电荷输送层、有机光电转换层、第2电荷输送层、负极。第1电荷输送层包含具有有机光电转换层的LUMO能级以上的LUMO能级的第1电荷输送材料、以及电子陷阱·散射材料。
有机光电转换元件摄像装置

[发明专利]太阳电池和半导体器件以及其制造方法-CN200610005127.8有效
发明人：西和夫;青木智幸;伊佐敏行;藤井严 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-01-12 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明的太阳电池的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成光电转换层；在所述光电转换层上形成有机材料层；在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层，其中，所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质，因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明，通过在光电转换层的表面上形成有机材料层，可以降低光电转换层的润湿性。从而，可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。
太阳电池半导体器件及其制造方法

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