[实用新型]一种单发射腔半导体激光器有效

专利信息
申请号: 201521045404.9 申请日: 2015-12-16
公开(公告)号: CN205265037U 公开(公告)日: 2016-05-25
发明(设计)人: 刘亚龙;梁雪杰;贺永贵;刘兴胜 申请(专利权)人: 西安炬光科技股份有限公司
主分类号: H01S5/10 分类号: H01S5/10;H01S5/022
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710077 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型提供了一种单发射腔的半导体激光器的封装结构,包括绝缘基底,激光芯片和导电金线。所述的绝缘基底上设置导电区,芯片安装区和绝缘带,所述的导电区包括导电区A和导电区B,芯片安装区设置于绝缘基底的中部,芯片安装区两侧分别依次设置导电区A,绝缘带,导电区B。这种设置了两条绝缘带的绝缘基底结构,可以适应多种后端光纤耦合器件需求,具有较好的兼容性,提高了生产效率,降低了生产成本。
搜索关键词: 一种 发射 半导体激光器
【主权项】:
一种单发射腔半导体激光器,其特征在于:包括绝缘基底,激光芯片和导电金线;所述的绝缘基底上设置导电区,芯片安装区和绝缘带;所述的导电区包括导电区A和导电区B,芯片安装区设置于绝缘基底的中部,芯片安装区两侧分别依次设置导电区A,绝缘带,导电区B;所述的导电区A与芯片安装区电连通,导电区B与芯片安装区绝缘;所述的激光芯片正极键合于芯片安装区,所述的导电金线用于激光芯片负极与导电区B的电连接,或者导电区A与导电区B的电连接。
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