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[发明专利]图像感测设备-CN201811210354.3有效
发明人：尹惺铉;权杜原;金宽植;宋泰荣;崔珉准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像感测设备，该图像感测设备包括第一基底结构、第二基底结构和存储器芯片。第一基底结构包括具有光电转换元件的像素区域。第二基底结构包括连接到第一基底结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且还包括电路区域以驱动像素区域。存储器芯片安装在第二基底结构的第二表面上。第一基底结构和第二基底结构通过穿过第一基底结构的第一连接过孔电连接。第二基底结构和存储器芯片通过穿过第二基底结构的一部分的第二连接过孔电连接。第一连接过孔和第二连接过孔在平面上位于不同位置处。
图像设备

[发明专利]热电材料及其制备方法-CN201710408677.2有效
发明人：金炳旭;李宗国;李汉赛;吕寅雄;郭真佑;李禹荣;金宽植;李辉钟 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社;延世大学校产学协力团
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N10/851 文献下载
摘要：本发明提供热电材料及其制备方法，其中热电材料具有优良的热电性能和高机械性质(特别是断裂韧性)，因此当将所述热电材料应用至热电模块时，所述热电模块具有优良的性能和效率以及长使用寿命。
热电材料及其制备方法

[发明专利]热电材料及其制备方法-CN201711238136.6有效
发明人：金炳旭;郭真佑;李禹荣;金宽植;林铉埈 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社;延世大学校产学协力团
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10N10/85 文献下载
摘要：本文提供了一种热电材料及其制备方法。热电材料可以包含由第一元素和第二元素之间的化学键形成的多个晶粒、基于石墨烯的材料；和金属颗粒。具体地，基于石墨烯的材料和金属颗粒可以在晶粒之间的界面中。
热电材料及其制备方法

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN202210072528.4在审
发明人：朴商秀;金宽植;金昶和;金太䪸;林奎显 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：衬底，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及像素隔离部分，其设置在衬底中，并且被配置为将单位像素彼此隔离。像素隔离部分包括：第一填充绝缘图案，其从第一表面朝着第二表面延伸，并且具有空气间隙区，第一填充绝缘图案包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁；导电结构，其包括第一侧壁上的第一部分、第二侧壁上的第二部分和将第一部分和第二部分连接的连接部分；以及绝缘衬垫，其设置在第一部分与衬底之间，并且设置在第二部分与衬底之间。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]用于检测二氧化碳分离膜设备异常的系统-CN201880002793.7有效
发明人：金东燮;李正彬;李仲远;申起荣;金宽植 -专利权人：韩国电力公社;株式公社阿斯特罗马;韩国东西发电(株);韩国南东发电(株);韩国西部发电(株)
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： B01D65/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种二氧化碳(CO2)分离膜设备异常检测系统，包括：入口单元，包含CO2的气体通过其进入包括CO2分离膜组件的设备；分离膜组件，包括一注入口，将包含CO2的气体供应至每个CO2分离膜组件并使所供应的气体渗透通过CO2分离膜，并分别将已经渗透通过分离膜的具有相对高CO2浓度的气体排出至第一排出口，和将没有渗透通过分离膜的具有相对低CO2浓度的气体排出至第二排出口；渗透单元，用于排出具有相对高CO2浓度的气体，将其从分离膜组件排出至设备外部；残渣单元，用于排出具有相对低CO2浓度的气体，将其从分离膜组件排出至设备外部；测量器，用于测量包括入口单元、渗透单元和残渣单元中的流速、CO2浓度以及压力的信息；以及控制器，通过由测量器收集的信息确定异常的存在性，其中所述控制器确定设备是否处于异常情况。
用于检测二氧化碳分离设备异常系统

[发明专利]包括流体分离膜的流体分离装置及流体分离膜模块-CN201680014401.X有效
发明人： 金宽植;申起荣 -专利权人：阿尔斯特罗马有限公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B01D53/22 文献下载
摘要：本发明提供一种包括流体分离膜的流体分离装置，作为向一方向延伸，截面形成闭曲线形状的流体分离膜，膜质的厚度为0.1mm至2mm，将截面调整为圆形时，外径为60mm至360mm。
包括流体分离装置模块

[发明专利]图像传感器以及制造图像传感器的方法-CN202010083771.7在审
发明人：金昶和;金宽植;金东灿;朴商秀;李范硕;李泰渊;林夏珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种图像传感器以及制造图像传感器的方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一浮置扩散区；模制图案，所述模制图案位于所述第一浮置扩散区上方，并且包括开口；第一光电转换部，所述第一光电转换部位于所述半导体衬底的表面；以及第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述第一光电转换部连接到所述第一浮置扩散区。所述第一传输晶体管包括第一传输栅电极和位于所述开口中的沟道图案。所述沟道图案包括氧化物半导体。所述沟道图案还包括侧壁部分和中心部分，所述侧壁部分覆盖所述开口的侧表面，所述中心部分从所述侧壁部分延伸到所述第一传输栅电极上方的区域。
图像传感器以及制造方法

[发明专利]用于评价二氧化碳分离膜组件性能的系统及其装置-CN201880002801.8有效
发明人：李正彬;李仲远;金景民;金俊翰;严庸硕;申起荣;金宽植 -专利权人：韩国电力公社;株式公社阿斯特罗马;韩国东西发电(株);韩国南东发电(株);韩国西部发电(株)
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G01M99/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种二氧化碳(CO2)分离膜组件性能评价系统及其装置。所述系统包括：模拟气体供应管道，用于模拟锅炉废气的气体组分并将模拟气体供应至组件单元部件；组件单元部件，包括一CO2分离膜组件，并使所述模拟气体渗透通过所述CO2分离膜组件，且单独地将已经渗透通过分离膜的渗透气体排放至渗透管道，以及单独地将未渗透通过所述分离膜的通过气体排放至通道管道；排放管道，用于将从所述渗透管道和所述通道管道排放的气体合并，并将合并气体排放至系统外部；分析器部件，用于收集每一种从供应管道供应至组件单元部件的气体、从组件单元部件排放的渗透气体以及从组件单元部件排放的通过气体，分析这些气体组分，并评价组件性能；精炼机部件，安装在每一个渗透管道、通道管道和排放管道中，并从通过每个管道的气体中除去污染物；测量器部件，使用安装在每一个气体供应管道、渗透管道、通道管道和排放管道中的测量仪器测量流速、温度和压力；控制器部件，基于从分析器部件和测量器部件收集的信息确定整个系统的状态，并产生与确定结果相对应的操作。
用于评价二氧化碳分离组件性能系统及其装置

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN202010004290.2在审
发明人：金昶和;金宽植;金润庆;朴商秀;李范锡;李泰渊;崔珉准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：半导体基板，具有彼此面对的第一表面和第二表面；第一光电转换部分，设置在半导体基板的第二表面上；第一浮置扩散区，与第一表面相邻地提供在半导体基板中；覆盖第一表面的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一沟道图案；以及第一传输栅电极，与第一沟道图案相邻地设置，并控制在第一光电转换部分中产生的电荷通过第一沟道图案传输到第一浮置扩散区。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]热电纳米复合材料及其制造方法-CN201610284977.X有效
发明人：金炳旭;宋京花;李汉赛;郭真佑;吕寅雄;卢水晶;李禹荣;金宽植;曹成味 -专利权人：现代自动车株式会社;延世大学校产学协力团
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L35/18 文献下载
摘要：提供一种热电纳米复合材料。热电纳米复合材料包括：具有n‑型半导体特征并包括Mg、Si、Al和Bi组分的基质，和包括Bi和Mg组分的纳米内含物。通过同时具有增加的Seebeck系数和降低的导热性，热电纳米复合材料的热电能量转换效率显著增加，使得热电纳米复合材料可用于实现高效热电装置。
热电纳米复合材料及其制造方法

[发明专利]图像传感器-CN201910521368.5在审
发明人： 金宽植;金昶和;金润庆;朴商秀;李范硕;赵万根;崔珉准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：第一基底；第一结构，位于第一基底的前表面上，第一结构包括围绕第一导电层的第一层间绝缘层；第二基底；第二结构，位于第二基底的面对第一基底的前表面的前表面上，第二结构包括第二层间绝缘层，第二层间绝缘层结合到第一层间绝缘层；有机光电层，位于第二基底的后表面上；以及通路电极结构，穿过第二基底和第二结构与第一导电层接触，通路电极结构包括位于通路电极结构中的气隙。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201910500928.9在审
发明人：金昶和;金宽植;朴商秀;李范硕;赵万根;崔珉准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有位于其中的光电转换元件；第一通孔，延伸到基底的第一表面，使得第一通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露，第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜至第三绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；以及接触件，延伸穿过第一绝缘膜至第三绝缘膜，并延伸到第一通孔的第二上表面。接触件包括在第一通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第三绝缘膜中的第四部分。
图像传感器

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910768375.5在审
发明人：崔承勋;具滋应;金宽植;金东灿;尹一永;赵万根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：半导体装置包括：包括像素区和输入/输出区的衬底；延伸贯穿像素区中的衬底的像素隔离图案；置于开口内壁上的第一过孔，该开口延伸贯穿输入/输出区中的衬底，其中，第一过孔包括第一导电材料；置于像素隔离图案上的防干扰图案，其中，防干扰图案包括第二导电材料；和置于衬底上的第一绝缘间层。第一绝缘间层覆盖第一过孔和防干扰图案，并包括置于开口中的第一部分和置于开口外的第二部分。第一部分包括凹入的上表面，第二部分包括实质上平坦的上表面。该装置还包括置于第一绝缘间层第一部分上的抛光停止图案和置于抛光停止图案上的绝缘图案，其中，绝缘图案填充开口的剩余部分，绝缘图案包括与第一绝缘间层第二部分的上表面实质上共面的上表面。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]图像传感器-CN201910503830.9在审
发明人：崔珉准;金宽植;金昶和;朴商秀;赵万根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，包括与光入射的第二表面相对的第一表面；第一光电转换层，位于衬底中；包括多个布线层的布线结构，位于衬底的第一表面上；层间绝缘膜，位于衬底的第二表面上；电容器结构，位于层间绝缘膜中；以及第一布线，位于层间绝缘膜上。所述电容器结构包括依次堆叠在衬底的第二表面上的第一导电图案、介电图案和第二导电图案。第二导电图案连接到第一布线。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201910148452.7在审
发明人：金东灿;金宽植;金保延;徐恩成;尹一永;崔承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：基底，包括用于接收光并产生图像数据的传感器区域和与传感器区域相邻的焊盘区域；绝缘层，在基底上；下透明电极，在传感器区域中的绝缘层上；以及蚀刻停止层，在传感器区域和焊盘区域中的绝缘层上。蚀刻停止层可以包括氮化硅。下透明电极的最上表面相对于基底的高度可以基本上等于蚀刻停止层的上表面相对于基底的高度。
传感器区域绝缘层基底蚀刻停止层焊盘区域透明电极上表面图像传感器图像数据氮化硅接收光

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