[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明涉及一种显示面板，包括：基板；开关模块，所述开关模块包括第一开关单元和第二开关单元，所述第一开关单元和所述第二开关单元包括在基板上依次设置的缓冲层、有源层、栅氧化层、栅极层、层间绝缘层、金属层和钝化层；像素单元，设置于所述基板上，并与所述第一开关单元耦接；量子点传感器，所述量子点传感器设置于所述基板上，并与所述第二开关单元耦接，所述量子点传感器包括量子点薄膜层。上述显示面板及其制备方法中，开关模块为采用低温多晶硅工艺制备的薄膜晶体管，开关模块的有源层采用各向同性的多晶物质，因此可提高载流子的迁移率，提高开关模块的驱动能力，进而可以提高显示面板的发光效率。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别是涉及显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着技术的发展，显示领域中出现多种不同种类的显示面板，例如OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板、QLED(Quantum Dot Light EmittingDiodes，量子点发光二极管)显示面板等。其中，量子点发光二极管是一种电流直接激发量子点发光的二极管。量子点发光二极管应用于显示器中可提高显示器的显示效率，降低功耗，因此，QLED显示面板越来越受到人们的关注。发明人在实现传统技术的过程中发现，传统的QLED显示面板载流子迁移率低，进而导致发光效率不高。

发明内容

基于此，有必要针对传统QLED显示面板载流子迁移率低的问题，提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。

一种显示面板，包括：

基板；

开关模块，包括第一开关单元和第二开关单元，所述第一开关单元和所述第二开关单元包括在基板上依次设置的缓冲层、有源层、栅氧化层、栅极层、层间绝缘层、金属层和钝化层；

像素单元，设置于所述基板上，并与所述第一开关单元耦接；

量子点传感器，设置于所述基板上，并与所述第二开关单元耦接，所述量子点传感器包括量子点薄膜层。

在其中一个实施例中，所述有源层的材料包括多晶硅或多晶硅锗。

在其中一个实施例中，所述像素单元包括依次设置于所述金属层上的第一电极层、空穴注入层、空穴传输层、量子点薄膜层、电子传输层、电子注入层和第二电极层。

在其中一个实施例中，所述量子点薄膜层包括介孔框架，所述介孔框架内设置有孔洞，所述孔洞内设置有量子点。

在其中一个实施例中，所述量子点的材质包括砷化镓、硅、锗、硅锗中的任一种。

在其中一个实施例中，所述孔洞的直径大小为2-10纳米。

一种显示装置，包括前述显示面板。

一种显示面板的制备方法，包括：

提供一基板，于所述基板上形成阵列排布的开关模块，所述开关模块包括第一开关单元和第二开关单元，所述第一开关单元和所述第二开关单元包括依次设置于所述基板上的缓冲层、有源层、栅氧化层、栅极层、层间绝缘层、金属层和钝化层；

于所述第一开关单元上形成像素单元；

于所述第二开关单元上形成量子点传感器。

在其中一个实施例中，所述于所述第一开关单元上形成像素单元包括：

刻蚀所述钝化层形成过孔，并于所述过孔内填充金属以形成第一电极层；

于所述第一电极层上形成像素限定层，刻蚀所述像素限定层以定义出子像素区域；

于所述子像素区域的所述第一电极层上蒸镀沉积空穴注入层；