[发明专利]一种多阱结构量子点、QLED及制备方法有效
| 申请号： | 201610882224.9 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206977B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 程陆玲;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多阱结构量子点、QLED及制备方法，其中，多阱结构量子点包括量子点核、依次循环生长在所述量子点核外的第一量子点壳及第二量子点壳，所述第一量子点壳和第二量子点壳的总层数为预定层数，所述量子点核、第一量子点壳和第二量子点壳内均含有金属离子。本发明的多阱结构量子点荧光强度高，并且量子点核和量子点壳内都具有一层金属离子，所以可以提高多阱结构量子点的荧光寿命，同时提高其稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 量子 qled 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多阱结构量子点，其特征在于，包括量子点核、依次循环生长在所述量子点核外的第一量子点壳及第二量子点壳，所述第一量子点壳的总层数和第二量子点壳的总层数之和为预定层数，所述量子点核、第一量子点壳和第二量子点壳内均含有一层金属离子。
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