[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 201910155281.0 | 申请日: | 2019-03-01 |
| 公开(公告)号: | CN109873018A | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
| 发明(设计)人: | 卓恩宗 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 王宁 |
| 地址: | 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 开关模块 显示面板 量子点 基板 第一开关 开关单元 制备 传感器 源层 耦接 载流子 低温多晶硅工艺 薄膜晶体管 层间绝缘层 传感器设置 发光效率 驱动能力 显示装置 像素单元 依次设置 栅氧化层 薄膜层 钝化层 缓冲层 金属层 迁移率 栅极层 多晶 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
开关模块,包括第一开关单元和第二开关单元,所述第一开关单元和第二开关单元包括在基板上依次设置的缓冲层、有源层、栅氧化层、栅极层、层间绝缘层、金属层和钝化层;
像素单元,设置于所述基板上,并与所述第一开关单元耦接;
量子点传感器,设置于所述基板上,并与所述第二开关单元耦接,所述量子点传感器包括量子点薄膜层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有源层的材料包括多晶硅或多晶硅锗。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素单元包括依次设置于所述金属层上的第一电极层、空穴注入层、空穴传输层、量子点薄膜层、电子传输层、电子注入层和第二电极层。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述量子点薄膜层包括介孔框架,所述介孔框架内设置有孔洞,所述孔洞内设置有量子点。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述量子点的材质包括砷化镓、硅、锗、硅锗中的任一种。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述孔洞的直径大小为2-10纳米。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6中任一项所述的显示面板。
8.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一基板,于所述基板上形成阵列排布的开关模块,所述开关模块包括第一开关单元和第二开关单元,所述第一开关单元和所述第二开关单元包括依次设置于所述基板上的缓冲层、有源层、栅氧化层、栅极层、层间绝缘层、金属层和钝化层;
于所述第一开关单元上形成像素单元;
于所述第二开关单元上形成量子点传感器。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述于所述第一开关单元上形成像素单元包括:
刻蚀所述钝化层形成过孔,并于所述过孔内填充金属以形成第一电极层;
于所述第一电极层上形成像素限定层,刻蚀所述像素限定层以定义出子像素区域;
于所述子像素区域的所述第一电极层上蒸镀沉积空穴注入层;
于所述空穴注入层上蒸镀沉积空穴传输层;
于所述空穴传输层上涂布量子点薄膜层;
于所述量子点薄膜层上蒸镀沉积电子传输层;
于所述电子传输层上蒸镀沉积电子注入层;
于所述电子注入层上蒸镀沉积第二电极层。
10.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述于所述第二开关单元上形成量子点传感器包括:
刻蚀所述钝化层形成过孔,并于所述过孔内填充金属以形成第一电极层;
于所述第一电极层表面涂布量子点薄膜层;
于所述量子点薄膜层上蒸镀沉积第二电极层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





