[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201910147220.X | 申请日: | 2019-02-27 |
公开(公告)号: | CN110911362A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 藤卷明子 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L25/18 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,具备:
衬底;
半导体零件,包含内插式衬底、搭载在所述内插式衬底的第1面的电子零件、与所述第1面及所述电子零件接触并覆盖该第1面及该电子零件的被覆树脂、以及与所述被覆树脂接触并覆盖该被覆树脂的金属膜,且该半导体零件搭载在所述衬底;
及
导热体,与所述金属膜附着,将所述衬底与所述金属膜连接,且导热率高于所述被覆树脂。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述内插式衬底具有位于所述第1面的相反侧的第2面、及设置在所述第2面的端子,
所述衬底具有朝向所述第2面的表面、设置在所述表面并连接于所述端子的电极、及设置在所述表面的导体,且
所述导热体将所述金属膜与所述导体连接。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述导热体为导电性,
所述衬底具有接地,且
所述导体连接于所述接地。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中所述电极具有使电信号通过的信号电极、连接于电源的电源电极、及连接于所述接地的接地电极,且
所述端子具有连接于所述信号电极的信号端子、连接于所述电源电极的电源端子、以及连接于所述接地电极并且较所述信号端子及所述电源端子更靠近所述导热体的接地端子。
5.根据权利要求3所述的半导体装置,其中所述导热体包含具有流动性或经硬化的第1膏,所述第1膏附着在所述金属膜,导热率高于所述被覆树脂,且具有导电性。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中所述导热体具有热连接及电连接于所述导体的金属部件,且
所述第1膏附着在所述金属膜及所述金属部件。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中在朝向所述表面的俯视下,所述金属部件包围所述半导体零件。
8.根据权利要求6所述的半导体装置,还具备多个所述半导体零件,且
在朝向所述表面的俯视下,所述金属部件包围所述多个半导体零件。
9.根据权利要求6所述的半导体装置,其中所述第1膏包含热硬化性树脂。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中所述导热体包含经硬化的第2膏,该第2膏包含热硬化性树脂,附着在所述金属部件及所述导体,导热率高于所述被覆树脂,且具有导电性,且
所述第1膏硬化。
11.根据权利要求2所述的半导体装置,还具备介置在所述衬底的所述表面与所述内插式衬底的所述第2面之间且位于所述端子与所述导热体之间的绝缘性的底部填充胶。
12.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述衬底包含基材、及覆盖所述基材并且位于所述基材与所述半导体零件之间的阻焊剂,
在所述阻焊剂,设置使所述基材的一部分露出的孔,且
所述导热体附着在通过所述孔而露出的所述基材的一部分。
13.根据权利要求1至4、及12中任一项所述的半导体装置,其中所述导热体包含具有流动性或经硬化的膏,所述膏附着在所述金属膜,且导热率高于所述被覆树脂。
14.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述电子零件具有存储器芯片。
15.根据权利要求14所述的半导体装置,其中所述电子零件具有控制所述存储器芯片的控制器芯片。
16.根据权利要求15所述的半导体装置,其中所述导热体具有距所述控制器芯片较距所述存储器芯片更近的部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社,未经东芝存储器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910147220.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。