[发明专利]具有保护机制的半导体装置及其相关系统、装置及方法有效
申请号: | 201880056037.2 | 申请日: | 2018-07-12 |
公开(公告)号: | CN111052366B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 周卫;B·K·施特雷特;M·E·塔特尔 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L23/532;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/12 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 保护 机制 半导体 装置 及其 相关 系统 方法 | ||
1.一种半导体装置,其包括:
衬底,其包含衬底顶面;
互连件,其经连接到所述衬底且在所述衬底顶面上方延伸;
裸片,其经附接于所述衬底上方,其中所述裸片包含连接到用于电耦合所述裸片及所述衬底的所述互连件的裸片底面;及
金属围封体,其直接接触所述衬底顶面及所述裸片底面,且垂直延伸于所述衬底顶面与所述裸片底面之间,其中所述金属围封体沿外围包围所述互连件。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述金属围封体使围封空间与外部空间隔离,其中所述围封空间包含所述互连件。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述围封空间不包含底部填胶。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述金属围封体包含由扩散接合工艺所致的固体铜。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述金属围封体包含焊料。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:
所述金属围封体是第一围封体;且
所述半导体装置进一步包括:
第二围封体,其直接接触所述衬底顶面及所述裸片底面,且垂直延伸于所述衬底顶面与所述裸片底面之间,其中所述第一围封体介于所述互连件与所述第二围封体之间。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中所述第二围封体沿外围包围所述互连件、所述第一围封体或其组合。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中所述第一围封体及所述第二围封体具有非嵌套布置或重叠布置。
9.根据权利要求7所述的半导体装置,其中所述第一围封体及所述第二围封体是同心的。
10.根据权利要求6所述的半导体装置,其中:
所述第一围封体具有沿水平面的第一形状;且
所述第二围封体具有不同于所述第一形状的沿所述水平面的第二形状。
11.根据权利要求6所述的半导体装置,其中:
所述第一围封体经电耦合到第一电连接;且
所述第二围封体经电耦合到不同于所述第一电连接的第二电连接。
12.根据权利要求11所述的半导体装置,其中所述第一电连接、所述第二电连接或其组合包含接地或电源连接。
13.根据权利要求12所述的半导体装置,其中:
所述第一电连接是所述电源连接;且
所述第二电连接是所述接地连接,其中所述接地连接沿外围包围所述电源连接。
14.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:
所述裸片包含裸片外围边缘;且
所述金属围封体包含沿垂直线与所述裸片外围边缘重合的外围表面。
15.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:
所述半导体装置是三维互连3DI装置;且
所述衬底是第二裸片。
16.根据权利要求1所述的半导体装置,其中沿垂直方向的所述裸片底面与所述衬底顶面之间的间距小于20μm。
17.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述半导体装置是包含两个或两个以上裸片的裸片堆叠装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880056037.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。