[发明专利]形成集成电路阱结构的方法

说明书

形成集成电路的一部分的方法包含：形成具有开口且暴露半导体材料的表面的经图案化掩模；穿过所述开口在所述半导体材料的第一层级处形成第一经掺杂区域；及各向同性地移除所述经图案化掩模的一部分以增加所述开口的宽度。所述方法进一步包含：在各向同性地移除所述经图案化掩模的所述部分之后穿过所述开口在所述半导体区域的第二层级处形成第二经掺杂区域，其中所述第二层级比所述第一层级更靠近于所述半导体材料的所述表面。

相关申请案

本申请案主张2017年12月29日提出申请且标题为“形成集成电路阱结构的方法”的第62/611,694号美国临时专利申请案的权益，所述美国临时专利申请案共同让与且全文以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明一般来说涉及集成电路，且特定来说，在一或多个实施例中，本发明涉及形成集成电路阱结构及含有此些阱结构的存储器的方法。

背景技术

集成电路装置遍及宽广范围的电子装置。一个特定类型包含存储器装置，时常地简 称为存储器。存储器装置通常经提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电 路装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及快闪存储器。

快闪存储器已发展成用于各种各样的电子应用的非易失性存储器的普遍来源。快闪 存储器通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的单晶体管存储器单元。通过对电荷存储结构(例如，浮动栅极或电荷陷阱)进行编程(其通常称为写入)或其它物理现象(例如，相变或极化)而发生的存储器单元的阈值电压(Vt)的改变确定每一存储器单元的数据状态(例如，数据值)。快闪存储器及其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电器、交 通工具、无线装置、移动电话及可抽换式存储器模块，且非易失性存储器的用途不断扩 大。

NAND快闪存储器为快闪存储器装置的常见类型，因此称为布置基本存储器单元配置的逻辑形式。通常，NAND快闪存储器的存储器单元阵列经布置使得阵列的行的每一 存储器单元的控制栅极连接在一起以形成存取线，例如字线。阵列的列包含在一对选择 栅极(例如，源极选择晶体管与漏极选择晶体管)之间串联连接在一起的存储器单元串(通 常称为NAND串)。每一源极选择晶体管可连接到源极，而每一漏极选择晶体管可连接 到数据线，例如列位线。已知在存储器单元串与源极之间及/或在存储器单元串与数据线 之间使用一个以上选择栅极的变化。

为了使存储器制造商保持有竞争性的，存储器设计者不断地努力增加存储器装置的 密度。增加存储器装置的密度通常涉及减小电路元件之间的间距。然而，电路元件的经减小间距可阻碍邻近电路元件的有效隔离。

发明内容

附图说明

图1是根据实施例的作为电子系统的一部分与处理器通信的存储器的简化框图。

图2A到2B是如可在参考图1所描述的类型的存储器中使用的存储器单元阵列的部分的示意图。

图3描绘相关集成电路结构。

图4A到4H描绘根据实施例的在各种制作阶段期间的集成电路结构。

图5A是如可在参考图1所描述的类型的存储器装置中使用的存储器单元阵列的一部分的示意图。

图5B是形成于图4F到4H的集成电路结构的一部分上的图5A的块选择晶体管的 横截面视图。

图6是根据实施例的形成集成电路装置的一部分的方法的流程图。

图7是根据实施例的形成集成电路装置的一部分的方法的流程图。

图8是根据实施例的形成集成电路装置的一部分的方法的流程图。