[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201911201611.1 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111261520A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 丁姮彣;宋学昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种具有改善的源极/漏极区域轮廓的半导体装置以及其形成方法。在一实施例中，此方法包含蚀刻半导体鳍片以形成第一凹槽；以及形成源极/漏极区域，其包含在第一凹槽中外延生长第一半导体材料且第一半导体材料为硅；于第一半导体材料上外延生长第二半导体材料且第二半导体材料包含硅锗；以及于第二半导体材料上外延生长第三半导体材料且第三半导体材料具有60‑80原子％的锗浓度，第三半导体材料的锗浓度大于第二半导体材料的锗浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
