[发明专利]基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构及其制备方法在审
申请号: | 201811212905.X | 申请日: | 2018-10-18 |
公开(公告)号: | CN109300963A | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 林志峥 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘层 透明导电层 半导体层 指纹识别 电容区域 显示结构 制备 玻璃层表面 电容结构 结构设置 透明结构 依次设置 电极 电容 玻璃层 光学式 两极板 新功能 避让 | ||
本发明涉及AMOLED技术领域,特别涉及一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构及其制备方法,包括电容区域结构的玻璃层、第一绝缘层、半导体层、第三绝缘层和透明导电层,所述第一绝缘层、半导体层、第三绝缘层和透明导电层依次设置在所述玻璃层表面,所述半导体层与透明导电层分别作为电容区域结构的电容两电极。将AMOLED显示结构中的电容区域结构设置为透明结构,由透明导电层和半导体层构成电容结构的两极板,进而形成屏下指纹识别所需的避让区,提升集成新功能,实现光学式屏下指纹识别的设计。
技术领域
本发明涉及AMOLED技术领域,特别涉及一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构及其制备方法。
背景技术
现如今,屏幕不再单纯只为用户传递图片、视频等咨询,科技研发人员不断赋予显示屏新的附加功能,例如目前受到热捧的屏幕指纹识别技术。虽然屏幕指纹识别的提出很早,且投入研发的公司也很多,但目前市面上销售的屏幕指纹识别暂时只有vivo X20采用光学式屏下指纹识别,该技术方案相对于超声波指纹识别具有更好的功耗且模组厚度上有优势。但光学式屏下指纹识别同样要求搭载AMOLED显示屏,同时在画素区域需做器件避让,使得指纹反射光可以穿透过避让区到达屏幕下方的光敏传感器,实现指纹信息的收集以便进一步的识别与操作。
随着分辨率的提升,sub-pixel(亚像素)尺寸不断缩小,在不断挑战制程和设计限制的同时还要设置屏下指纹识别的避让区,将限制屏下指纹识别在高分辨率AMOLED显示技术中的应用。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构及其制备方法,形成屏下指纹识别所需的避让区。
为了解决上述技术问题,本发明采用的第一种技术方案为:
一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构,包括电容区域结构;
所述电容区域结构包括玻璃层、第一绝缘层、半导体层、第三绝缘层和透明导电层,所述第一绝缘层、半导体层、第三绝缘层和透明导电层依次设置在所述玻璃层表面,所述半导体层与透明导电层分别作为电容区域结构的电容两电极。
本发明采用的第二种技术方案为:
一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构的制备方法,包括以下步骤:
S1、提供一电容区域结构的玻璃层,且在玻璃层表面上覆盖有第一绝缘层;
S2、形成一半导体层,且所述半导体层覆盖于第一绝缘层表面;
S3、形成一第三绝缘层,且所述第三绝缘层覆盖于半导体层表面;
S4、形成一透明导电层,且所述透明导电层覆盖于第三绝缘层表面。
本发明的有益效果在于:将AMOLED显示结构中的电容区域结构设置为透明结构,由透明导电层和半导体层构成电容结构的两电极板,进而形成屏下指纹识别所需的避让区,提升集成新功能,实现光学式屏下指纹识别的设计。
附图说明
图1为根据本发明的一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构的剖面结构示意图;
图2为根据本发明的一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构的制备方法的步骤流程图;
图3为根据本发明的一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构的补偿电路原理图;
标号说明:
1、TFT1区域结构;2、TFT2区域结构;3、电容区域结构;4玻璃层;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建华佳彩有限公司,未经福建华佳彩有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811212905.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的