[发明专利]半导体封装件以及包括其的半导体器件

说明书

提供了半导体封装件以及包括其的半导体器件。半导体封装件包括下芯片、位于下芯片上的上芯片以及位于下芯片与上芯片之间的粘合剂层。下芯片具有第一硅通孔(TSV)和位于其上表面上的垫。垫分别连接到第一TSV。上芯片包括在其下表面上的凸块。凸块键合到垫。凸块的竖直中心线分别与第一TSV的竖直中心线对准。在下芯片的外围区域中，凸块的竖直中心线分别从垫的竖直中心线偏移。

本申请要求于2018年1月17日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0006274号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部而包含于此。

技术领域

发明构思涉及半导体封装件，更具体地，涉及包括硅通孔(TSV)的半导体封装件。

背景技术

随着电子工业的发展，电子器件正变得越来越小型化和轻量化。为了满足此趋势，需要小型、轻便、高性能、高密度和高可靠性的半导体封装件。在这方面，已经研究了包括硅通孔(TSV)的半导体芯片和包括该半导体芯片的半导体封装件。

发明内容

根据发明构思，提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：下芯片，包括下芯片主体、竖直地延伸穿过下芯片主体的第一硅通孔(TSV)和位于下芯片主体的上表面上的垫，垫分别电连接到第一TSV；上芯片，位于下芯片上，上芯片包括上芯片主体和位于上芯片主体的下表面上的凸块，凸块分别直接键合到下芯片的垫中的对应的垫，并且凸块中的每个凸块包括柱和焊料层；以及粘合剂层，位于下芯片主体与上芯片主体之间。凸块的柱、第一TSV和垫中的每个具有在与下芯片主体的上表面垂直的方向上延伸的中心线。凸块的柱的中心线如在半导体封装件的平面图中所观看到的分别延伸穿过柱的几何中心，第一TSV的中心线分别延伸穿过第一TSV的轴向中心，垫的中心线如在半导体封装件的平面图中所观看到的分别竖直地延伸穿过垫的几何中心。凸块的柱的中心线分别与第一TSV的中心线对准。并且，在下芯片的外围区域中，凸块的柱的中心线从垫中的所述凸块所键合到的对应的垫的中心线偏移。

根据发明构思，还提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括缓冲芯片和位于缓冲芯片上的第一存储器芯片。缓冲芯片可以包括位于其中的第一硅通孔(TSV)和位于其上表面上的第一垫。第一垫可以分别连接到第一TSV。第一存储器芯片可以包括在其下表面上的凸块。凸块可以键合到第一垫。凸块中的每个可以包括柱和焊料层。凸块的柱的第一中心线可以分别与第一TSV的第二中心线对准。在缓冲芯片的外围区域中，凸块的柱的第一中心线可以分别与第一垫的第三中心线未对准。第一中心线、第二中心线和第三中心线可以沿着与缓冲芯片的上表面垂直的竖直方向指向。

根据发明构思，还提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：印刷电路板(PCB)；中介层，安装在PCB上；高带宽(HBM)封装件，安装在中介层上；以及处理器芯片，安装在中介层上。处理器芯片可以与HBM封装件间隔开。HBM封装件包括缓冲芯片和位于缓冲芯片上的第一存储器芯片。缓冲芯片可以包括位于缓冲芯片中的第一硅通孔(TSV)以及位于缓冲芯片的上表面上的第一垫。第一垫可以分别连接到第一TSV。第一存储器芯片可以包括在其下表面上的第一凸块。第一凸块可以键合到第一垫。第一凸块中的每个可以包括柱和焊料层。第一凸块的柱的第一中心线可以分别与第一TSV的第二中心线对准。在缓冲芯片的外围区域中，第一凸块的柱的第一中心线可以分别与第一垫的第三中心线未对准。第一中心线、第二中心线和第三中心线可以沿着与缓冲芯片的上表面垂直的竖直方向指向。