[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式涉及半导体装置，具备：基板，设置在框体中；第1半导体芯片，设置在基板的上方，并具有第1上部电极、第1下部电极和第1栅极电极；板状的第一极电极，具有沿第1方向设置在框体之外的第1第一极端子和沿与第1方向相反方向的第2方向设置在框体之外的第2第一极端子，该第一极电极的一部分设置在框体中；以及板状的第二极电极，具有沿第1方向设置在框体之外的第1第二极端子和沿第2方向设置在框体之外的第2第二极端子，该第二极电极的一部分设置在框体中，与第一极电极对置设置。

本申请以日本专利申请2018—56220号(申请日：2018年3月23日) 为基础申请来主张优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

在功率半导体模块中，例如在金属基板的上方，在之间夹持绝缘基板来安装多个功率半导体芯片。功率半导体芯片例如是MOSFET(Metal Oxide Field EffectTransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor：绝缘栅双极型晶体管)或者二极管。

通过将多个功率半导体模块连接，例如构成逆变器电路等电路系统。如果使用了功率半导体模块的电路系统的电感大，则会产生开关 (switching)损失变大这一问题。因此，希望降低使用了功率半导体模块的电路系统的电感。

发明内容

实施方式提供一种能够降低电感的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：框体；基板，设置在上述框体中；第1 半导体芯片，设置在上述基板的上方，并具有第1上部电极、第1下部电极和第1栅极电极；板状的第一极电极，具有沿第1方向设置在上述框体之外的第1第一极端子和沿与上述第1方向相反方向的第2方向设置在上述框体之外的第2第一极端子，该第一极电极的一部分设置在上述框体中；以及板状的第二极电极，具有沿上述第1方向设置在上述框体之外的第1 第二极端子和沿上述第2方向设置在上述框体之外的第2第二极端子，该第二极电极的一部分设置在上述框体中，与上述第一极电极对置设置。

附图说明

图1A、1B是第1实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图2A、2B是第1实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图3A、3B、3C是第1实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图4是第1实施方式的半导体装置的等效电路图。

图5A、5B是第1实施方式的半导体装置的作用以及效果的说明图。

图6是第2实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图7A、7B是第2实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图8是第2实施方式的半导体装置的作用以及效果的说明图。

图9A、9B是第3实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图10是第4实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图11A、11B是第5实施方式的半导体装置的示意图。

图12A、12B是第5实施方式的半导体装置的作用以及效果的说明图。

具体实施方式

在本说明书中，有时对于相同或者类似的部件赋予相同的附图标记，省略重复的说明。

在本说明书中，为了表示部件等的位置关系，有时将附图的上方向记为“上”，将附图的下方向记为“下”。在本说明书中，“上”、“下”的概念不一定是表示与重力的朝向的关系的用语。

(第1实施方式)