[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具备：

框体；

基板，设置在上述框体中；

第1半导体芯片，设置在上述基板的上方，并具有第1上部电极、第1下部电极和第1栅极电极；

第2半导体芯片，设置在上述基板的上方，具有第2上部电极、第2下部电极和第2栅极电极；

第1金属层，设置在上述基板和上述第1半导体芯片之间，与上述第1下部电极电连接；

第2金属层，设置在上述基板和上述第2半导体芯片之间，与上述第2下部电极电连接；

第3金属层，设置在上述基板的上方，与上述第1上部电极电连接；

板状的第一极电极，具有沿第1方向设置在上述框体之外的第1第一极端子和沿与上述第1方向相反方向的第2方向设置在上述框体之外的第2第一极端子，该第一极电极的一部分设置在上述框体中；

板状的第二极电极，具有沿上述第1方向设置在上述框体之外的第1第二极端子和沿上述第2方向设置在上述框体之外的第2第二极端子，该第二极电极的一部分设置在上述框体中，与上述第一极电极对置设置；

输出端子，设置在上述框体之外；

第1金属芯棒，设置在上述第3金属层和上述第一极电极之间，将上述第3金属层和上述第一极电极电连接；以及

第2金属芯棒，设置在上述第2金属层和上述第二极电极之间，将上述第2金属层和上述第二极电极电连接，

上述输出端子与上述第1下部电极以及上述第2上部电极电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第2金属芯棒贯通上述第一极电极。

3.一种半导体装置，其中，具备：

框体；

基板，设置在上述框体中；

第1半导体芯片，设置在上述基板的上方，并具有第1上部电极、第1下部电极和第1栅极电极；

板状的第一极电极，具有沿第1方向设置在上述框体之外的第1第一极端子和沿与上述第1方向相反方向的第2方向设置在上述框体之外的第2第一极端子，该第一极电极的一部分设置在上述框体中；以及

板状的第二极电极，具有沿上述第1方向设置在上述框体之外的第1第二极端子和沿上述第2方向设置在上述框体之外的第2第二极端子，该第二极电极的一部分设置在上述框体中，与上述第一极电极对置设置，

上述第一极电极具有沿与上述第1方向垂直的第3方向设置在上述框体之外的第3第一极端子和沿与上述第3方向相反方向的第4方向设置在上述框体之外的第4第一极端子，

上述第二极电极具有沿上述第3方向设置在上述框体之外的第3第二极端子和沿上述第4方向设置在上述框体之外的第4第二极端子。

4.根据权利要求1或者3所述的半导体装置，其中，

上述第一极电极和上述第二极电极中的至少任意一方具有条纹图案或者网格图案。

5.根据权利要求1或者3所述的半导体装置，其中，

在上述第一极电极与上述第二极电极之间设置有介电常数比硅凝胶高的绝缘层。

6.根据权利要求1或者3所述的半导体装置，其中，

上述框体沿上述第1方向具有凸部，沿上述第2方向具有凹部，上述第1第一极端子以及上述第1第二极端子设置于上述凸部，上述第2第一极端子以及上述第2第二极端子设置于上述凹部。

7.根据权利要求1或者3所述的半导体装置，其中，

上述第1第一极端子与上述第2第一极端子存在于以上述基板的法线作为法线的不同的两个平面内，上述第1第二极端子与上述第2第二极端子存在于以上述基板的法线作为法线的不同的两个平面内。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

在上述框体中填充有硅凝胶。

9.根据权利要求1或者3所述的半导体装置，其中，

上述第1半导体芯片是MOSFET或者IGBT。

10.根据权利要求1或者3所述的半导体装置，其中，

上述框体是树脂。