[发明专利]一种半导体芯片封装方法及封装结构有效
申请号: | 201810381246.6 | 申请日: | 2018-04-25 |
公开(公告)号: | CN109494202B | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 周辉星 | 申请(专利权)人: | PEP创新私人有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/498 |
代理公司: | 北京智信四方知识产权代理有限公司 11519 | 代理人: | 宋海龙 |
地址: | 新加坡加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 封装 方法 结构 | ||
本公开公开了一种芯片封装方法及封装结构。半导体封装方法包括步骤:提供第一载板,在载板上设有至少一个预定位置;将至少一个半导体芯片贴装在所述第一载板的所述预定位置上;提供至少一个金属结构,所述金属结构包括至少一个金属单元;将所述金属结构贴装在第一载板上,其中所述金属单元对应至少一个半导体芯片;包封所述至少一个半导体芯片和所述至少一个金属结构。本公开通过将预成型的包含多个金属单元的金属结构贴装于第一载板上,取得了不同金属特征带来的封装性能的提高。
本公开要求2017年9月12日在新加坡提出的No.10201707457X的专利申请的优先权,在此以引用的方式并入其全文。
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,特别涉及一种半导体芯片封装方法及封装结构。
背景技术
已有技术中,一种常见的芯片封装技术主要包含下述工艺过程:首先将芯片正面通过胶带粘接在衬底晶圆上,进行晶圆级塑封,将衬底晶圆剥离,然后在芯片正面进行再布线,形成再布线层,并植焊锡球,最后将封装体切成单颗。
在封装过程中,如果需要在芯片四周设置金属结构,以便与芯片进行电连接时,通常的做法是在金属第一载板上通过电镀的制作工艺在第一载板的预定位置处制造出需要的金属导电体,然而这种制作工艺制造的电镀金属层的厚度有限,不适应需要良好热性能和电性能的高电流产品的需求;而且根据实际需求,在对板级封装中的芯片形成个性化金属特征时,需要利用电镀工艺依次逐个设置,而电镀工艺成本高且费时,因此使用这种工艺也不利于形成局部金属特征。
发明内容
(一)要解决的技术问题
为了克服现有技术存在的缺陷,本公开提出了一种半导体芯片封装方法及封装结构。
(二)技术方案
根据本发明的一个方面,提出一种半导体封装方法,包括步骤:提供第一载板,在载板上设有至少一个预定位置;将至少一个半导体芯片贴装在所述第一载板的所述预定位置上;提供至少一个金属结构,所述金属结构包括至少一个金属单元;将所述金属结构贴装在第一载板上,其中所述金属单元对应至少一个半导体芯片;包封所述至少一个半导体芯片和所述至少一个金属结构。
根据本发明的另一方面,提出一种半导体封装结构,其包括:多个半导体芯片与至少一个金属结构,所述金属结构包括多个金属单元,所述多个金属单元分别对应所述多个半导体芯片,所述多个金属单元之间相互连接;包封层,用于包封所述多个半导体芯片与所述至少一个金属结构。
根据本发明的再一方面,提出一种半导体封装结构,其包括:半导体芯片;金属单元,包括至少一个金属特征,其中至少一个金属特征与半导体芯片相连;包封层,用于包封所述半导体芯片与所述金属单元,其中,所述半导体封装结构通过至少一个金属特征与外部电路进行连接。
(三)有益效果
本公开通过将预成型的包含多个金属单元的金属结构贴装于第一载板上,取得了不同金属特征带来的封装性能的提高
附图说明
图1a是根据本公开半导体芯片封装方法的流程图;
图1b是根据本公开半导体芯片封装方法中形成再布线结构的流程图;
图2是根据本公开第一载板的截面图;
图3是根据本公开在第一载板上贴装粘接层后的截面图;
图4是根据本公开在第一载板上贴装半导体芯片后的截面图;
图5是根据本公开在第一载板上设置位置标记的平面示意图;
图6a是根据本公开第一实施例被刻图的金属框架的截面图;
图6b是根据本公开第一实施例被刻图的金属框架的平面图;
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