[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 201810029256.3 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN109727926A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 邓雅骏;林松榆;宋健铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L23/32 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶粒 底介电层 顶介电层 密封环 半导体元件 接合 延伸 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
一第一晶粒，包含一顶介电层；
一第二晶粒，位于该第一晶粒上方，该第二晶粒包含一底介电层，该底介电层与该第一晶粒的该顶介电层接合于该第一晶粒与该第二晶粒间的一界面；以及
一密封环，自该第一晶粒延伸通过该界面至该第二晶粒，其中该第一晶粒的该顶介电层的一部分与该第二晶粒的该底介电层的一部分被位于该密封环的外侧的一间隙所分离。
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