[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

说明书

半导体装置包括：引线框，其一端部在封装部内与半导体元件的第二端子的上端面相接触，其另一端部从封装部露出；以及控制用导电性接合材料，其将半导体元件的第二端子的上端面与引线框的一端部之间接合且具有导电性。引线框的一端部包含：基准部；中间部，其相连于基准部且位于比基准部更靠近一端部的前端侧；以及倾斜部，其相连于中间部且位于一端部的前端的同时，具有从中间部向下方倾斜的形状，倾斜部以及中间部的上下方向的厚度比基准部的上下方向的厚度更薄。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，例如有一种半导体装置(参照专利文献1)已被普遍知晓，其为：将半导体元件放置在基板的导体层上，并经由焊锡等导电性接合材料以连接件来接合该半导体元件与引线框，并且该半导体元件与基板被封装树脂封装。

在这种以往的半导体装置中，在为了连接引线框与半导体元件(MOSFET或1GBT)而使用焊锡材料等导电性接合材料的情况下，在维持焊锡粒径并减少焊锡量方面存在着限度，并且越缩小焊锡粒径就越增加成本。

而且，为了在不减少焊锡量的情况下抑制异电极间的焊锡桥，就必须确保接触于引线框的焊锡材料不会从输入有半导体元件的控制信号的栅极焊盘(端子)的上端面溢出。

此外，在考虑到电气性能后，由于必须要减小栅极焊盘的面积且加大源极焊盘的面积，因此引线框与栅极焊盘的接合部就必须尽可能地减小。

另外，为了在提高允许电流值的同时减小半导体装置的占有面积，就必须要加厚引线框的厚度。

而这种较厚的引线框难以与面积较小的栅极焊盘对应加工。

即，在以往的半导体装置中，在对应于输入有控制信号的端子的形状，对连接于该端子的较厚的引线框的接合部分进行加工并在接合该端子与引线框时，存在着无法抑制导电性接合材料从该端子的上端面溢出的问题。

先行技术文献

专利文献

专利文献1：特开2015-12065号公报

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种半导体装置，其能够在对应于输入有控制用信号(控制信号)的端子的形状，使连接于该端子的引线框的接合部分的加工变得容易的同时，在接合该端子与引线框时，抑制导电性接合材料从该端子的上端面溢出。

发明内容

根据本发明的一种形态所涉及的实施方式中的半导体装置，其特征在于，包括：

基板，在其上端面设置有第一导电层；

半导体元件S，其配置于所述基板的所述上端面，并且具有：设置在其下端面且被电连接于所述第一导电层的第一端子；以及设置在其上端面且输入有控制用信号的第二端子；

封装部，封装所述基板以及半导体元件；

引线框，其一端部在所述封装部内与所述半导体元件的所述第二端子的上端面相接触，其另一端部从所述封装部露出；以及

控制用导电性接合材料，其将所述半导体元件的所述第二端子的上端面与所述引线框的所述一端部之间接合且具有导电性，

其中，所述引线框的所述一端部包含：基准部；中间部，其相连于所述基准部且位于比所述基准部更靠近所述一端部的前端侧；以及倾斜部，其相连于所述中间部且位于所述一端部的前端的同时，具有从所述中间部向下方倾斜的形状，

所述倾斜部以及所述中间部的上下方向的厚度比所述基准部的上下方向的厚度更薄。

在所述半导体装置中，