[实用新型]一种芯片及移动终端有效
| 申请号: | 201720340650.X | 申请日: | 2017-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN206628463U | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
| 发明(设计)人: | 唐林平 | 申请(专利权)人: | 维沃移动通信有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人: | 赵娟 |
| 地址: | 523860 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 芯片 移动 终端 | ||
技术领域
本实用新型涉及芯片技术领域,特别是涉及一种芯片及移动终端。
背景技术
随着电子信息产业的日新月异,组装密度越来越高,微电子器件中的焊点也越来越小,对可靠性要求日益提高。
芯片封装中广泛采用的贴片封装技术、芯片尺寸封装和焊球阵列等封装技术均通过焊点实现器件与基板之间的电性连接及机械连接,焊点的质量与可靠性决定了电子产品的质量。
在目前的芯片封装设计中,有三种比较典型的设计方式:
SOP(Small Out-Line Package,小外形封装)、SOT(Smalloutline Transistor,小晶体管封装)等封装,其优点是封装工艺简单,成本相对较低,缺点是焊点密度极低。
QFN(Quad Flat No-leadPackage,方形扁平无引脚封装),LGA(Land Grid Array,栅格阵列封装)等封装,优点是走线相对自由,有利于降低封装高度,缺点是焊点密度低。
BGA(Ball Grid Array,球形栅格阵列封装)和CSP(Chip Scale Package是指芯片尺寸封装)等封装,优点是焊点密度高,缺点是抗应力能力相对较差。
可见,现有的芯片中,存在焊点密度低和抗应力能力不足的问题。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种芯片及移动终端,以解决目前芯片存在焊点密度低和抗应力能力不足的问题。
第一方面,提供了一种芯片,包括:
半导体衬底,所述半导体衬底内设置有半导体裸芯片;
重分布走线层,所述重分布走线层设置于所述半导体衬底上,所述重分布走线层内设置有金属走线和金属焊盘,所述金属焊盘和所述半导体裸芯片通过所述金属走线电性连接,所述重分布走线层设置有暴露所述金属焊盘的开口,所述金属焊盘通过开口与铜凸块相连,其中,所述铜凸块的径向截面面积等于所述金属焊盘的底部面积;
塑封层,所述塑封层包覆所述半导体衬底和所述重分布走线层,并且暴露所述铜凸块。
第二方面,提供了一种移动终端,所述移动终端包括主板和芯片,所述芯片包括:
半导体衬底,所述半导体衬底内设置有半导体裸芯片;
重分布走线层,所述重分布走线层设置于所述半导体衬底上,所述重分布走线层内设置有金属走线和金属焊盘,所述金属焊盘和所述半导体裸芯片通过所述金属走线电性连接,所述重分布走线层设置有暴露所述金属焊盘的开口,所述金属焊盘通过开口与铜凸块相连,其中,所述铜凸块的径向截面面积等于所述金属焊盘的底部面积;
塑封层,所述塑封层包覆所述半导体衬底和所述重分布走线层,并且暴露所述铜凸块;
所述芯片通过所述铜凸块与所述主板电性连接和机械连接。
本实用新型实施例的芯片,包括设置有半导体裸芯片的半导体衬底,位于半导体衬底上的包含金属走线的重分布走线层,重分布走线层设置有金属焊盘,金属焊盘和半导体裸芯片通过金属走线电性连接,重分布走线层设置有暴露金属焊盘的开口,金属焊盘通过开口与铜凸块相连,且铜凸块的径向截面面积等于金属焊盘的底部面积,应用本实用新型实施例,在金属焊盘底部面积一定时,由于铜凸块的径向截面面积等于金属焊盘的底部面积,相比于现有技术中的焊球,可以减小金属焊盘之间的间距,从而可以提高芯片的焊点密度,同时,采用的是铜材质,提高了芯片焊点的抗应力能力,保证了芯片与移动终端连接的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对本实用新型实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例的芯片的截面示意图;
图2是现有的芯片和本实用新型实施例的芯片的焊点的截面对比示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例一
图1为本实用新型实施例的芯片的截面示意图。
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