[发明专利]集成扇出型封装体及其制造方法

说明书

一种集成扇出型封装体包括管芯、绝缘包封体、重布线路结构、导电端子以及障壁层。所述管芯被所述绝缘包封体包封。所述重布线路结构包括重布线导电层。所述重布线导电层设置在所述绝缘包封体中且从所述绝缘包封体的第一表面延伸到所述绝缘包封体的第二表面。所述导电端子设置在所述绝缘包封体的所述第二表面之上。所述障壁层夹置在所述重布线导电层与所述导电端子之间。所述障壁层的材料不同于所述重布线导电层的材料及所述导电端子的材料。本发明实施例还提供一种制造集成扇出型封装体的方法。

技术领域

本发明实施例涉及一种集成扇出型封装体及其制造方法。

背景技术

由于各种电子组件(即，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体行业已经历了快速成长。在大多数情况下，集成密度的此种改进来自于最小特征大小(minimum feature size)的一再减小，以允许更多的较小的组件能够集成在一定的面积中。与先前的封装体相比，这些较小的电子组件也需要利用较小面积的较小的封装体。半导体组件的一些较小类型的封装体包括四面扁平封装(quad flatpackage，QFP)、针栅数组(pin grid array，PGA)封装体、球栅数组(ball grid array，BGA)封装体等等。

当前，集成扇出型封装体因其密集性而趋于热门。在集成扇出型封装体中，重布线路结构的形成在封装体工艺期间至关重要。

发明内容

本发明实施例提供一种集成扇出型封装体，所述集成扇出型封装体包括管芯、绝缘包封体、重布线路结构、导电端子、障壁层以及多个导电球。所述管芯被所述绝缘包封体包封。所述重布线路结构包括重布线导电层。所述重布线导电层设置在所述绝缘包封体中且从所述绝缘包封体的第一表面延伸到所述绝缘包封体的第二表面。所述导电端子设置在所述绝缘包封体的所述第二表面之上，其中所述导电端子未设置在所述管芯的正下方与所述导电端子相同高度的区域中。所述障壁层夹置在所述重布线导电层与所述导电端子之间。所述障壁层的材料不同于所述重布线导电层的材料及所述导电端子的材料。所述重布线导电层包括贯穿所述绝缘包封体的导电通孔以及位于所述导电通孔上的导电层，所述导电层部分覆盖所述绝缘包封体的所述第一表面，且所述障壁层设置在所述导电通孔的底部与所述导电端子之间。多个导电球设置在所述绝缘包封体的所述第一表面上，以透过所述重布线路结构电连接所述管芯。

本发明实施例提供一种集成扇出型封装体包括管芯、绝缘包封体、多个导电通孔、介电材料、多个导电端子以及多个障壁层。绝缘包封体包封所述管芯。多个导电通孔以杯形的形式分别设置在所述绝缘包封体中的多个贯孔中。介电材料设置在所述导电通孔及所述绝缘包封体之上，且在所述贯孔中延伸。多个导电端子分别设置在所述导电通孔的底部之上。多个障壁层分别设置在所述导电通孔的所述底部与所述导电端子之间，其中所述障壁层的材料不同于所述导电通孔的材料及所述导电端子的材料。所述障壁层的顶表面与所述绝缘包封体的底表面共平面，且所述障壁层未设置在所述管芯的正下方与所述障壁层相同高度的区域中。

本发明实施例提供一种制造集成扇出型封装体的方法包括：将管芯安装在介电层之上；形成绝缘包封体以包封所述管芯；在所述绝缘包封体之上形成重布线路结构，所述重布线路结构包括重布线导电层，所述重布线导电层分布在所述绝缘包封体中且从所述绝缘包封体的第一表面延伸到所述绝缘包封体的第二表面；图案化所述介电层，以在所述绝缘包封体的所述第二表面处暴露出所述重布线导电层的一些部分；在被所述绝缘包封体的所述第二表面暴露出的所述重布线导电层之上形成障壁层；以及在所述障壁层之上形成导电端子，其中所述障壁层的材料不同于所述重布线导电层的材料以及所述导电端子的材料。形成所述重布线路结构包括形成贯穿所述绝缘包封体的导电通孔以及位于所述导电通孔上的导电层，所述导电层部分覆盖所述绝缘包封体的所述第一表面，且所述障壁层设置在所述导电通孔的底部与所述导电端子之间。