[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201711260262.1 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107946291B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 杉山道昭;木下顺弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/50;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
(a)具有第一表面的第一衬底；
(b)第一半导体芯片，装配在所述第一衬底的第一表面之上以便所述第一半导体芯片的第一背表面面向所述第一衬底的第一表面，
其中，所述第一半导体芯片具有与所述第一背表面相反的第一主表面、在所述第一主表面上形成的第一主表面焊盘、以及在所述第一主表面焊盘之上形成的第一导电部件；
(c)第二半导体芯片，装配在所述第一半导体芯片的第一主表面之上以便所述第二半导体芯片的第二背表面面向所述第一半导体芯片的第一主表面，所述第一半导体芯片的第一主表面焊盘通过所述第一导电部件与所述第二半导体芯片的第二背表面焊盘电连接，
其中，所述第二半导体芯片具有与所述第二背表面相反的第二主表面、在所述第二主表面之上形成的第二主表面焊盘、以及在所述第二主表面焊盘之上形成的第二导电部件，
其中，所述第二背表面焊盘形成在所述第二背表面上且与所述第二主表面焊盘电连接，以及
其中，在平面视图中，所述第二半导体芯片的区域比所述第一半导体芯片的区域小；
(d)一体的密封材料，密封所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、和所述第二导电部件；
(e)基部衬底，直接安装于所述密封材料以便所述基部衬底的第三表面面向所述第一衬底的第一表面，在所述基部衬底的第三表面上形成的焊接引线与所述第二半导体芯片的第二导电部件电连接，
其中，所述基部衬底的第四表面与所述第三表面相反，以及
其中，在所述第四表面上形成有隆起连接盘，并且所述隆起连接盘与所述焊接引线电连接；以及
(f)在所述隆起连接盘上形成的外部端子。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述密封材料为非导电膜或非导电胶。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述密封材料包括热固性树脂。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述基部衬底和所述第一衬底之间的间隙被所述密封材料填充。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二半导体芯片的第二背表面焊盘通过在所述第二半导体芯片内形成的通孔与所述第二主表面焊盘电连接。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一半导体芯片为形成有存储器电路的存储器芯片，所述第二半导体芯片为形成有控制所述第一半导体芯片的存储器电路的控制电路的微型计算机芯片。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第一半导体芯片的存储器电路为DRAM电路。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，在所述第一衬底的第一表面之上形成有配线；以及，
其中，在所述密封材料内形成有通孔，在所述第一衬底之上形成的所述配线通过所述通孔与所述基部衬底之上形成的所述焊接引线电连接。
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