[发明专利]存储器元件及其制作方法

权利要求书

1.一种存储器元件，包括：

一半导体基材；

一底部绝缘层，位于该半导体基材上；

一第一导电层，位于该底部绝缘层上，其中该第一导电层是一选择性外延生长层；

多个绝缘层，位于该第一导电层之上；

多个第二导电层，与这些绝缘层交错叠层，且和该第一导电层电性隔离；

一接触插塞，穿过该底部绝缘层且与该第一导电层和该半导体基材电性接触；

一通道层，位于一第一贯穿开口的至少一侧壁上，并与该接触插塞电性接触，其中该第一贯穿开口穿过这些绝缘层和这些第二导电层，而将该接触插塞暴露于外；

一存储层，位于该通道层与这些第二导电层之间；以及

一保护层，该保护层配置于该半导体基材的一暴露表面，该暴露表面是暴露于一第二贯穿开口，其中该第二贯穿开口穿过这些绝缘层及这些第二导电层，且该保护层是配置于该半导体基材与该第一导电层之间。

2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该第一导电层具有暴露于一第二贯穿开口的一顶面，该顶面为一弯曲形状，其中该第二贯穿开口穿过这些绝缘层及这些第二导电层。

3.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该存储层包括一氧化硅-氮化硅-氧化硅结构，且位于该第一贯穿开口的该侧壁上，并且夹设于该通道层与这些第二导电层之间。

4.根据权利要求1所述的存储器元件，更包括：

一间隙壁介电层，位于一第二贯穿开口的至少一侧壁上，其中该第二贯穿开口穿过这些绝缘层和这些第二导电层，将该第一导电层暴露于外；以及

一金属插塞，位于该第二贯穿开口中，与该第一导电层电性接触，且通过该间隙壁介电层与这些第二导电层电性隔离。

5.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该接触插塞具有高于该第一导电层的一顶面。

6.一种存储器元件的制作方法，包括：

提供一多层叠层结构，使该多层叠层结构具有多个绝缘层和多个牺牲层相互叠层于一半导体基材上；

形成至少一第一贯穿开口，穿过该多层叠层结构，将该半导体基材、这些绝缘层和这些牺牲层部分地暴露于外；

进行一选择性沉积工艺，以于该第一贯穿开口的一底部形成一接触插塞，与该半导体基材电性接触；

于该第一贯穿开口的至少一侧壁上依序形成一存储层和一通道层，使该存储层夹设于该通道层与剩余的这些牺牲层之间，并且使该通道层与该接触插塞电性接触；

形成至少一第二贯穿开口，穿过该多层叠层结构，使该半导体基材、这些绝缘层以及这些牺牲层部分地暴露于外；

通过该第二贯穿开口移除所有的这些牺牲层；以及

于这些牺牲层原来占据的位置上，形成一第一导电层及多个第二导电层，其中这些第二导电层是位于该第一导电层之上，且该第一导电层接触于该接触插塞，其中该第一导电层是通过一选择性外延生长工艺所形成。

7.根据权利要求6所述的存储器元件的制作方法，更包括：

在移除所有的这些牺牲层之前形成一保护层于该半导体基材的一暴露表面上，其中该暴露表面是暴露于该第二贯穿开口，且该保护层是配置于该半导体基材与该第一导电层之间。

8.根据权利要求7所述的存储器元件的制作方法，其中该保护层是通过对该半导体基材进行一氧化工艺所形成。