[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区基底上具有第一鳍部，所述第一鳍部的顶部表面具有第一掩膜层，所述第二区基底上具有第二初始鳍部；

在所述第一鳍部和第二初始鳍部的侧壁形成第一初始掺杂层，所述第一初始掺杂层内具有第一掺杂离子；

在所述基底、第一鳍部和第二初始鳍部上、以及第一初始掺杂层侧壁形成初始隔离层，所述初始隔离层暴露出第一掩膜层的顶部表面，且覆盖第一初始掺杂层和第二初始鳍部的侧壁；

形成所述初始隔离层之后，去除部分第二初始鳍部，形成第二鳍部，所述第二鳍部上的初始隔离层内具有第一开口；

去除第一开口侧壁的第一初始掺杂层，在所述第一鳍部和第二鳍部的侧壁形成第一掺杂层；

以所述第一掩膜层和第一开口侧壁的初始隔离层为掩膜，采用外延工艺在所述第二鳍部上形成第三鳍部，所述第三鳍部中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的导电类型与第一掺杂离子的导电类型相反；

在所述第三鳍部上形成第四鳍部，所述第四鳍部的顶部表面暴露出初始隔离层的顶部表面；

去除部分初始隔离层，形成隔离层，所述隔离层的顶部表面低于第一鳍部的顶部表面且低于第四鳍部的顶部表面，且所述隔离层的顶部表面高于或者齐平第三鳍部的顶部表面；

形成所述隔离层之后，去除第一鳍部侧壁暴露出的第一掺杂层；

去除第一鳍部侧壁暴露出的第一掺杂层之后，进行退火处理，使所述第一掺杂离子进入第一鳍部内。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂层的材料包括：氧化硅；所述第一掺杂层中第一掺杂离子的浓度为：5.0E19atoms/cm³~8.0E21atoms/cm³。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第一初始掺杂层之后，形成初始隔离层之前，所述形成方法还包括：在所述第一初始掺杂层侧壁表面形成停止层；所述停止层的材料包括：氮化硅。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三鳍部中第二掺杂离子的浓度为：5.0E19atoms/cm³~5.0E21atoms/cm³。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区用于形成NMOS晶体管，所述第二区用于形成PMOS晶体管；所述第一掺杂离子为P型离子，所述第二掺杂离子为N型离子；所述N型离子包括磷离子或者砷离子，所述P型离子包括硼离子或铟离子。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三鳍部的材料包括硅锗或者硅；所述第三鳍部的形成工艺包括外延生长工艺；当所述第三鳍部的材料为硅锗时，所述外延生长工艺的参数包括：硅源气体、锗源气体、氯化氢和氢气，硅源气体包括SiH₄或者SiH₂Cl₂，锗源气体包括GeH₄，硅源气体、锗源气体和氯化氢气体的流量均为1标准毫升/分钟~2000标准毫升/分钟，氢气的流量为0.1每分钟标准升~50每分钟标准升；在所述第三鳍部内掺杂第二掺杂离子的工艺包括原位掺杂工艺；当所述第二掺杂离子为磷离子时，所述原位掺杂工艺的参数包括：掺杂源包括磷源，所述磷源包括PH₃，掺杂源的流量为1标准毫升/分钟~2000标准毫升/分钟。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区用于形成PMOS晶体管，所述第二区用于形成NMOS晶体管；所述第一掺杂离子为N型离子，所述第二掺杂离子为P型离子；所述N型离子包括磷离子或者砷离子，所述P型离子包括硼离子或铟离子。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三鳍部的材料包括Ⅲ-Ⅴ族元素组成的化合物或者硅；Ⅲ-Ⅴ族元素组成的化合物包括铟镓砷。