[发明专利]芯片的叠层封装结构及叠层封装方法

权利要求书

1.一种芯片的叠层封装结构，包括：

基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；

第一管芯，所述第一管芯具有相对的有源面和背面，所述第一管芯设置于所述基板的第一表面上方，所述第一管芯的背面靠近所述基板的第一表面并且所述第一管芯的有源面设置有焊盘；

第一包封体，包封所述第一管芯；

至少一个互连体，延伸至所述第一包封体中，以与所述焊盘电连接；

至少一个第一重布线体，所述第一重布线体包括在所述第一包封体表面延伸的第一部分，以及由所述第一包封体的表面延伸至所述基板的第二表面的第二部分，在所述基板的第二表面延伸的第三部分，所述第一重布线体与所述互连体电连接；至少一个贯穿体，所述贯穿体从所述第一包封体的上表面延伸至所述基板的第二表面，所述贯穿体未电连接所述互连体；

第二管芯，所述第二管芯上的至少一个电极通过导电凸块直接与所述贯穿体的第一端电连接；所述第二管芯有源面朝向所述第一包封体，所述第二管芯的至少一个电极通过导电凸块直接电连接到所述互连体以与所述第一管芯对应的电极实现电连接；

第二包封体，覆盖所述第二管芯、所述导电凸块；

图案化的第二导电层，位于所述基板的第一表面上，所述第一管芯的背面通过导电的粘接层电连接到所述第二导电层上，以将第一管芯的背面电极引至所述第二导电层上；

其中，所述贯穿体的第一端包括在所述第一包封体的上表面延伸的第一部分，所述第一部分包括增厚层，位于所述增厚层上的金属籽层和金属层，所述贯穿体的第二端包括在所述基板的第二表面延伸的第二部分，所述第二部分包括第三导电层，为图案化的导电层，作为提供外部电连接的外引脚；所述第三导电层包括在所述基板的第二表面延伸的第一金属层，所述第一金属层用于增厚所述第三导电层；所述第三导电层还包括位于所述第一金属层上方的焊接层，所述焊接层用于电连接至引线框架或PCB板或其他电子器件，

所述贯穿体包括至少一个倒梯形的开口，由所述第一包封体的上表面延伸至所述第一包封体内部，在所述开口中包括金属籽层和金属层。

2.根据权利要求1所述的叠层封装结构，其中，所述互连体包括在第一包封体表面上延伸的第一部分，以及在所述第一包封体中延伸至相应的焊盘的第二部分。

3.根据权利要求2所述的叠层封装结构，其中，还包括第二重布线层，所述第二重布线层包括在所述基板的第二表面延伸的第一部分，以及由所述基板的第二表面延伸至所述第二导电层的表面，并与所述第一管芯的背面电极电连接的第二部分。

4.一种形成如权利要求1所述的叠层封装结构的叠层封装方法，包括：

提供基板；

将第一管芯设置于基板的第一表面，其中，所述管芯具有相对的有源面和背面，所述第一管芯的背面靠近所述基板的第一表面并且所述管芯的有源面设置有焊盘；

形成第一包封体以包封所述第一管芯；

通过蚀刻工艺和电镀或者沉积导电材料形成至少一个互连体，使所述互连体延伸至所述第一包封体中与所述焊盘电连接；

通过蚀刻工艺和电镀或者沉积导电材料形成至少一个第一重布线体，所述第一重布线体包括在所述第一包封体表面延伸的第一部分，以及由所述第一包封体的表面延伸至所述基板的第二表面的第二部分，在所述基板的第二表面延伸的第三部分，使所述第一重布线体与所述互连体电连接；

通过蚀刻工艺和电镀或者沉积导电材料形成至少一个贯穿体，使所述贯穿体从所述第一包封体的上表面延伸至所述基板的第二表面，所述贯穿体未电连接所述互连体；

将第二管芯上的有源面朝向所述第一包封体，所述第二管芯上的至少一个电极通过导电凸块直接与所述贯穿体的第一端电连接；所述第二管芯有源面朝向所述第一包封体，所述第二管芯的至少一个电极通过导电凸块直接电连接到所述互连体以与所述第一管芯的对应电极实现电连接；

形成第二包封体覆盖在所述第二管芯、所述导电凸块；

形成图案化的第二导电层，所述第二导电层位于所述基板第一表面上，所述第一管芯的背面通过导电的粘接层电连接到所述第二导电层上，以将第一管芯的背面电极引至所述第二导电层上；

其中，所述贯穿体的第一端包括在所述第一包封体的上表面延伸的第一部分，所述第一部分包括增厚层，位于增厚层上的金属籽层和金属层，所述贯穿体的第二端包括在所述基板的第二表面延伸的第二部分，所述第二部分包括通过金属电镀或者沉积导电材料在所述叠层封装结构的表面形成的图案化的第三导电层，作为提供外部电连接的外引脚；所述第三导电层包括在所述第二包封体表面延伸的第一金属层，所述第一金属层用于增厚所述第三导电层；所述第三导电层还包括位于所述第一金属层上方的焊接层，所述焊接层用于电连接至引线框架或PCB板或其他电子器件，

所述贯穿体包括至少一个倒梯形的开口，由所述第一包封体的上表面延伸至所述第一包封体内部，在所述开口中包括金属籽层和金属层。