[发明专利]具有锗或III-V族有源层的深环栅极半导体器件有效
| 申请号： | 201711054009.0 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN107833910B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | R·皮拉里塞泰;W·拉赫马迪;V·H·勒;S·H·宋;J·S·卡治安;J·T·卡瓦列罗斯;H·W·田;G·杜威;M·拉多萨夫列维奇;B·舒金;N·慕克吉 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/165;H01L29/205;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 iii 有源 栅极 半导体器件 | ||
1.一种集成电路结构，包括：
半导体结构，所述半导体结构位于半导体鳍状物上方，所述半导体鳍状物位于包括硅的衬底上方，所述半导体结构包括III-V族材料；
栅极结构，所述栅极结构环绕所述半导体结构，所述栅极结构还位于所述半导体结构下方的沟槽中，所述栅极结构包括：
栅极电介质层，所述栅极电介质层位于所述半导体结构上并且环绕所述半导体结构，所述栅极电介质层还沿着所述沟槽的侧壁和底部，并且所述栅极电介质层包括铪和氧；以及
导电层，所述导电层位于环绕所述半导体结构的所述栅极电介质层上，并且所述导电层还位于沿着所述沟槽的所述侧壁和所述底部的所述栅极电介质层上，所述导电层包括金属氮化物；
源极结构，所述源极结构在所述半导体结构的第一侧处；以及
漏极结构，所述漏极结构在所述半导体结构的与所述第一侧相对的第二侧处，其中，所述栅极结构进入所述半导体鳍状物中的深度比所述源极结构和所述漏极结构的深度深。
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述栅极电介质层包括高k材料。
3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述栅极电介质层包括自然氧化物层。
4.根据权利要求3所述的集成电路结构，其中所述栅极电介质层还包括：包括高k材料的层，其中所述包括高k材料的层位于所述自然氧化物层上。
5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述栅极电介质层包括铪、硅和氧。
6.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：
位于所述半导体结构上方的垂直布置的一条或多条纳米线。
7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中所述栅极结构还环绕位于所述半导体结构上方的垂直布置的所述一条或多条纳米线中的每一条纳米线的沟道区。
8.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述半导体结构是纳米线结构。
9.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述半导体结构是纳米带结构。
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