[发明专利]半导体装置封装

说明书

一种半导体装置封装包含封装衬底、半导体组件、热散播器和导热结构。所述封装衬底具有表面。所述半导体组件安置于所述封装衬底的所述表面上方。所述热散播器安置于所述封装衬底的所述表面和所述半导体组件上方。所述导热结构在所述半导体组件与所述热散播器之间。所述导热结构包含第一聚合层，及安置于所述第一聚合层中的多个第一填充物。所述第一填充物中的每个由所述第一聚合层侧向地环绕，且所述第一填充物中的每个的两个端部从所述第一聚合层的相对表面暴露且分别与所述半导体组件和所述热散播器接触。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置封装，且更确切地说涉及一种具有在竖直方向上的热导率高于在侧向方向上的热导率的导热结构的半导体装置封装。

背景技术

半导体行业已见证一些半导体装置封装中的多种电子组件的集成密度的增长。此增加的集成密度常常对应于半导体装置封装中的增加的功率密度。因为半导体装置封装的功率密度增长，所以在一些实施方案中热耗散可能变得合乎需要。因此，在一些实施方案中提供具有改进的热导率的半导体装置封装可为适用的。

发明内容

在一些实施例中，一种半导体装置封装包含封装衬底、半导体组件、热散播器和导热结构。所述封装衬底具有表面。所述半导体组件安置于所述封装衬底的所述表面上方。所述热散播器安置于所述封装衬底的所述表面和所述半导体组件上方。所述导热结构安置于所述半导体组件与所述热散播器之间。所述导热结构包含第一聚合层及多个第一填充物。所述第一填充物中的每个具有两个端部且由所述第一聚合层侧向地环绕。所述第一填充物中的每个的所述两个端部从所述第一聚合层的相对表面暴露且分别与所述半导体组件和所述热散播器接触。

在一些实施例中，一种半导体装置封装包含封装衬底、半导体组件、热散播器和导热结构。所述封装衬底具有表面。所述半导体组件安置于所述封装衬底的所述表面上方。所述热散播器安置于所述封装衬底的所述表面和所述半导体组件上方。所述导热结构安置于所述半导体组件与所述热散播器之间。所述导热结构的在基本上垂直于所述封装衬底的所述表面的竖直方向上的热导率大于所述导热结构的在基本上平行于所述封装衬底的所述表面的侧向方向上的热导率。

在一些实施例中，一种半导体装置封装包含封装衬底、半导体组件、热散播器和导热结构。所述封装衬底具有表面。所述半导体组件安置于所述封装衬底的所述表面上方。所述热散播器安置于所述封装衬底的所述表面和所述半导体组件上方。所述导热结构在中心区中具有第一厚度，且在边缘区中具有第二厚度，且所述第一厚度小于所述第二厚度。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下具体实施方式最好地理解本发明的一些实施例的方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制,且各种结构的尺寸可出于论述清楚起见任意增大或减小。

图1是根据本发明的第一方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面视图；

图2A是根据本发明的一些实施例的呈初始状态的导热结构的一些实施例的横截面视图；

图2B是根据本发明的一些实施例的呈变形状态的导热结构的横截面视图；

图3A是根据本发明的第二方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面视图；

图3B是根据本发明的第二方面的半导体装置封装的一些实施例的部分俯视图；

图4是根据本发明的一些实施例的粘着结构的横截面视图；

图5A是根据本发明的第三方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面视图；

图5B是根据本发明的第三方面的半导体装置封装的一些实施例的部分俯视图；

图6是根据本发明的第四方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面视图；且

图7是根据本发明的第五方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面视图。

具体实施方式