[发明专利]半导体装置封装有效

专利信息
申请号: 201711037222.0 申请日: 2017-10-30
公开(公告)号: CN109148397B 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: 胡逸群;何佳容;杨金凤;洪志斌 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 封装
【权利要求书】:

1.一种半导体装置封装,其包括:

半导体组件,其具有上表面;

热散播器,其安置于所述半导体组件的上表面上方;及

导热结构,其安置于所述半导体组件的上表面与所述热散播器之间,其中所述导热结构包括:

多个第一聚合层;及

多个第一填充物,其各自具有第一端部和第二端部,其中所述第一端部接触所述热散播器,所述第二端部相对于所述第一端部且接触所述半导体组件,其中所述多个第一填充物及所述多个第一聚合层在所述半导体组件上沿侧向方向交替排列,且所述多个第一填充物由所述第一端部至所述第二端部的延伸方向和所述半导体组件的所述上表面不平行,其中所述多个第一填充物沿着所述延伸方向呈波浪状且彼此共形排列。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述导热结构系为压缩变形,以增加所述导热结构的厚度偏差的容差。

3.根据权利要求2所述的半导体装置封装,其中所述导热结构的压缩变形率为10%到40%。

4.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述导热结构在所述延伸方向上的热导率大于所述导热结构在所述侧向方向上的热导率。

5.根据权利要求4所述的半导体装置封装,其中所述第一填充物在所述延伸方向上的热导率大于所述第一填充物在所述侧向方向上的热导率。

6.根据权利要求4所述的半导体装置封装,其中所述第一填充物包括石墨、石墨烯、碳纤维、氮化硼。

7.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括环绕所述导热结构的边缘且连接到所述半导体组件和所述热散播器的至少一个粘着结构,其中在横截面视图中,所述导热结构和所述至少一个粘着结构的交界面包括曲面。

8.根据权利要求7所述的半导体装置封装,其中所述粘着结构包括第二聚合层和安置于所述第二聚合层中的多个第二填充物,所述导热结构的所述第一聚合层和所述粘着结构的所述第二聚合层包括相同材料。

9.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述热散播器包含第一部分及第二部分,所述第二部分自所述第一部分朝向封装衬底延伸,所述多个电线电连接所述半导体组件,且相较于所述热散播器的所述第二部分更接近所述导热结构。

10.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括:

封装衬底,其具有表面,所述半导体组件安置于所述封装衬底的所述表面上方具有面对所述封装衬底的主动表面;

多个导电结构,其将所述主动表面电连接到所述封装衬底;及

底部填充层,其环绕所述导电结构且安置于所述半导体组件与所述封装衬底之间。

11.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述半导体组件包括各自具有边缘的至少两个半导体裸片侧向排列,其中在俯视图中,所述导热结构同时覆盖所述至少两个半导体裸片。

12.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述导热结构的热导率自40W/mK至90W/mK。

13.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括:

封装衬底,其具有表面,其中所述热散播器安置于所述封装衬底的所述表面和所述半导体组件上方,其中所述热散播器包含第一部分及第二部分,所述第二部分自所述第一部分朝向所述封装衬底延伸;及

囊封物,其环绕所述热散播器的所述第二部分,其中部分所述囊封物环绕所述导热结构并安置于所述半导体组件的上表面与所述热散播器之间。

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