[发明专利]半导体装置的布局方法及用以执行该方法的可读取媒体

权利要求书

1.一种半导体装置的布局方法，其特征在于，包含：

将多个功能单元放置于一集成电路的一第一布局中；以及

在该第一布局中插入经配置为无切割图案的至少一填充单元，以填充在所述多个功能单元之间的至少一空区域，其中所述多个功能单元每一者在邻接该至少一空区域的至少一边缘上包含至少一切割图案，以形成一第二布局，其中该第二布局对应于至少一设计文件；

根据该至少一设计文件制造该集成电路。

2.根据权利要求1所述的布局方法，其特征在于，其中插入至少一填充单元以填充至少一空区域的操作包含：

于所述多个功能单元中的一第一功能单元旁边插入一第一填充单元，并且于所述多个功能单元中的一第二功能单元旁边插入一第二填充单元，其中该至少一空区域设置于该第一功能单元与该第二功能单元之间。

3.根据权利要求2所述的布局方法，其特征在于，其中插入该第一填充单元及该第二填充单元的操作包含：

插入包含至少一第一栅极的该第一填充单元，以及包含至少一第二栅极的该第二填充单元，该至少一第一栅极具有与该第一功能单元中的多个栅极的一宽度相同的一宽度，该至少一第二栅极具有与该第二功能单元中的多个栅极的一宽度相同的一宽度。

4.根据权利要求2所述的布局方法，其特征在于，其中插入该第一填充单元及该第二填充单元的操作包含：

插入包含至少一第一栅极的该第一填充单元，以及包含至少一第二栅极的该第二填充单元，该至少一第一栅极经配置以具有与该第一功能单元中的多个栅极的一临界电压相同的一临界电压，该至少一个第二栅极经配置以具有与该第二功能单元中的多个栅极的一临界电压相同的一临界电压。

5.根据权利要求1所述的布局方法，其特征在于，其中该至少一填充单元的一宽度为对应该至少一空区域的一宽度的至少一单元间距。

6.根据权利要求1所述的布局方法，其特征在于，其中插入至少一填充单元以填充至少一空区域的操作包含：

插入包含一第一填充单元与一第二填充单元的一对填充单元以填充一空区域，其中该第一填充单元中的一第一栅极及所述多个功能单元中的一第一功能单元中的多个第一栅极的一总数，以及该第二填充单元中的一第二栅极及所述多个功能单元中的一第二功能单元中的多个第二栅极的一总数各自为一偶数。

7.根据权利要求1所述的布局方法，其特征在于，其中插入至少一填充单元以填充至少一空区域的操作包含：

插入至少一填充单元，其中该至少一填充单元包含设置于该至少一填充单元的一中央区域中的一单一栅极，或设置于该至少一填充单元的两个边缘上的两个栅极。

8.根据权利要求1所述的布局方法，其特征在于，其中插入该至少一填充单元的操作包含：

插入一第一填充单元与一第二填充单元，该第一填充单元与所述多个功能单元的一第一功能单元共享一切割图案，该第二填充单元与所述多个功能单元的一第二功能单元共享一切割图案。

9.一种半导体装置的布局方法，其特征在于，其包含：

放置多个功能单元于一集成电路的一第一布局中；

在该第一布局中插入经配置为无切割图案的一第一填充单元与经配置为无切割图案的一第二填充单元，该第一填充单元在该多个功能单元中的一第一功能单元旁边，该第二填充单元在该多个功能单元中的一第二功能单元旁边，以在该第一功能单元与该第二功能单元之间填充一空区域，以形成一第二布局，其中该第二布局对应于至少一设计文件；以及

根据该至少一设计文件制造该集成电路，

其中该第一填充单元的至少一第一栅极具有一第一参数，以及该第二填充单元的至少一第二栅极具有不同于该第一参数的一第二参数，

其中该第一填充单元与该第一填充单元旁边的该第一功能单元经设置以在该第一功能单元的一边缘上共享一切割图案，该第二填充单元与该第二填充单元旁边的该第二功能单元经设置以在该第二功能单元的一边缘上共享一切割图案。