[发明专利]多晶片半导体封装体及垂直堆叠的半导体晶片和封装方法

权利要求书

1.一种半导体晶片，其特征在于，包含：

半导体元件，具有上表面以及对应至所述上表面的下表面，其中所述半导体元件包含：

输入端子；

多个硅晶穿孔连接块，延伸穿越所述半导体元件，其中所述多个硅晶穿孔连接块的其中之一连接至所述输入端子；以及

多个选择焊垫，位于所述下表面，其中所述多个选择焊垫的其中之一连接至所述输入端子，而所述多个选择焊垫的其余者分别连接至所述

多个硅晶穿孔连接块的其余者；

多个倾斜焊垫，位于所述上表面且通过所述多个硅晶穿孔连接块分别连接至所述多个选择焊垫，其中每个所述倾斜焊垫具有焊垫表面，其不平行于所述上表面；以及

多个倾斜导电结构，分别位于对应的所述多个倾斜焊垫上，每个所述倾斜导电结构的底端接触对应的所述倾斜焊垫的所述焊垫表面，且每个所述倾斜导电结构的顶端垂直的对齐紧邻的所述倾斜焊垫。

2.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于，每个所述倾斜导电结构包含：

柱状部，自每个所述倾斜焊垫的所述焊垫表面向上延伸；以及

锡球部，位于所述柱状部远离所述倾斜焊垫的一端，其中所述锡球部垂直的对齐紧邻的所述倾斜焊垫。

3.如权利要求2所述的半导体晶片，其特征在于，所述多个柱状部均彼此相互平行。

4.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于，所述上表面具有多个V型槽，且所述多个倾斜焊垫是分别共形的形成于所述多个V型槽上。

5.如权利要求4所述的半导体晶片，其特征在于，每个所述V型槽的两内表面夹角为90度。

6.如权利要求4所述的半导体晶片，其特征在于，所述半导体元件还包含保护层，多条导电通道于所述保护层内延伸，其中所述多个倾斜焊垫分别通过所述多条导电通道连接至所述多个硅晶穿孔连接块。

7.如权利要求4所述的半导体晶片，其特征在于，所述多个倾斜焊垫彼此间隔，且每个所述倾斜导电结构的顶端在垂直方向超出其底端连接的所述倾斜焊垫。

8.如权利要求2所述的半导体晶片，其特征在于，所述多个倾斜焊垫彼此间隔，且每个所述倾斜导电结构的所述锡球部在垂直方向超出所述倾斜导电结构的所述柱状部连接的所述倾斜焊垫。

9.一种多晶片半导体封装体，包含N个垂直堆叠的半导体晶片，其特征在于，每个所述半导体晶片包含：

半导体元件，具有上表面以及对应至所述上表面的下表面，其中所述半导体元件包含：

输入端子；

M个硅晶穿孔连接块，延伸穿越所述半导体元件，其中M≥N，且所述M个硅晶穿孔连接块的其中之一连接至所述输入端子；以及

多个选择焊垫，位于所述下表面，其中所述多个选择焊垫的其中之一连接至所述输入端子，而所述多个选择焊垫的其余者分别连接至所述多个硅晶穿孔连接块的其余者；

M-1个倾斜焊垫，位于所述上表面且通过所述多个硅晶穿孔连接块分别连接至所述多个选择焊垫，其中每个所述倾斜焊垫具有焊垫表面，其不平行于所述上表面；以及

多个倾斜导电结构，分别位于对应的所述多个倾斜焊垫上，每个所述倾斜导电结构的底端接触对应的所述倾斜焊垫的所述焊垫表面，且每个所述倾斜导电结构的顶端垂直的对齐紧邻的所述倾斜焊垫。

10.如权利要求9所述的多晶片半导体封装体，其特征在于，每个所述倾斜导电结构包含：

柱状部，自每个所述倾斜焊垫的所述焊垫表面向上延伸；以及

锡球部，位于所述柱状部远离所述倾斜焊垫的一端，其中所述锡球部垂直的对齐紧邻的所述倾斜焊垫。

11.如权利要求10所述的多晶片半导体封装体，其特征在于，所述多个柱状部均彼此相互平行。