[发明专利]半导体封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

第一载体基板，具有第一表面与相对于该第一表面的第二表面；

第二载体基板，堆叠在该第一载体基板上并且具有第三表面以及相对于该第三表面的第四表面，其中该第四表面面向该第一表面；

半导体晶粒，安装于该第二载体基板的该第三表面上；以及

散热器，设置在该第一载体基板的该第一表面上，以覆盖并围绕该第二载体基板与该半导体晶粒。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：封装材料，具有被该散热器覆盖的第一部分，其中该第一部分围绕该第二载体基板与该半导体晶粒。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：封装材料，具有围绕该散热器的外侧壁的第二部分。

4.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一部分覆盖该半导体晶粒的上表面。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：热界面材料层，附着于该半导体晶粒与该散热器之间。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：

第一底部填充材料层，插入于该第一载体基板与该第二载体基板之间；

及/或，第二底部填充材料层，插入于该半导体晶粒与该第二载体基板之间。

7.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：

第一底部填充材料层，插入于该第一载体基板与该第二载体基板之间；以及

第二底部填充材料层，插入于该半导体晶粒与该第二载体基板之间；

其中，一间隙围绕该半导体晶粒、该第二载体基板、该第一底部填充材料层以及该第二底部填充材料层。

8.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：电容，安装于该第一载体基板的该第一表面上，该二载体基板的该第三表面上，或者该第二载体基板的该第四表面上。

9.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

第一载体基板，具有第一表面与相对于该第一表面的第二表面；

第二载体基板，堆叠在该第一载体基板上并且具有第三表面以及相对于该第三表面的第四表面，其中该第四表面面向该第一表面；

半导体晶粒，安装于该第二载体基板的该第三表面上；

第一封装材料，设置在该第二载体基板的该第三表面上并且围绕该半导体晶粒；以及

散热器，设置在该第一载体基板的该第一表面上，以覆盖并围绕该第二载体基板与该第一封装材料。

10.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：第二封装材料，具有被该散热器覆盖的第一部分，其中该第一部分围绕该第二载体基板与该第一封装材料。

11.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：第二封装材料，具有围绕该散热器的外侧壁的第二部分。

12.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：一热界面材料层，附着于该半导体晶粒与该散热器之间。

13.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：

底部填充材料，插入在该半导体晶粒与该第二载体基板之间，并且该第一封装材料围绕该底部填充材料。

14.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一封装材料覆盖该半导体晶粒的上表面。

15.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：

底部填充材料，插入在该第一载体基板与该第二载体基板之间。

16.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：

底部填充材料，插入在该第一载体基板与该第二载体基板之间，其中一间隙围绕该第一封装材料，该第二载体基板以及该底部填充材料。

17.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：电容，安装于该第一载体基板的该第一表面上，该二载体基板的该第三表面上，或者该第二载体基板的该第四表面上。