[发明专利]半导体封装结构在审
申请号: | 201710762051.1 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN107887348A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 蔡宪聪 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:
核心基板,由第一材料形成,并且具有相对的装置附着面与焊料凸块附着面;
凸块垫,设置在该焊料凸块附着面上;
第一焊料屏蔽层,由该第一材料形成,并且覆盖该核心基板的该焊料凸块附着面以及该凸块垫的一部分;以及
第二焊料屏蔽层,覆盖该核心基板的该装置附着面,其中该第二焊料屏蔽层由第二材料形成。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该第二材料不同于该第一材料。
3.如权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,该第一材料包括:热固性材料,以及该第二材料包括:光固化材料。
4.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该第一材料包括:聚丙烯树指或者ABF(Ajinomoto build-up film)树脂。
5.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该核心基板以及该第一焊料屏蔽层均包括:分散于其中的玻璃纤维。
6.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该第二材料包括:光可成像焊料屏蔽材料。
7.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,进一步包括:
第一导电迹线,设置在该装置附着面上并且被该第一焊料屏蔽层覆盖;
第二导电迹线,设置在该凸块附着面上并且被该第二焊料屏蔽层覆盖;以及
通孔插塞,穿过该核心基板并电性连接该第一导电迹线与该第二导电迹线。
8.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该凸块垫从该第一焊料屏蔽层的第一开口中露出,并且该第一开口相邻于该凸块垫。
9.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,进一步包括:
装置垫,设置在该核心基板的该装置附着面上,其中该装置垫从该第二焊料屏蔽层的第二开口中露出并且与该第二开口以一距离隔开。
10.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:
核心基板,具有第一表面与相对于该第一表面的第二表面;
第一焊垫,设置在该核心基板的该第一表面上;
焊料屏蔽层,覆盖该核心基板的该第一表面;以及
导电插塞结构,具有顶部和底部,其中该顶部位于该核心基板的该第一表面上,其中该底部位于该第一表面与该第二表面之间。
11.如权利要求10所述的半导体封装结构,其特征在于,该核心基板包括:沟槽,形成为从该核心基板的该第二表面延伸进该核心基板的一部分中,以及该导电插塞结构的底部暴露于该沟槽的底部。
12.如权利要求10所述的半导体封装结构,其特征在于,该导电插塞结构覆盖该核心基板的该第一表面并且延伸进该核心基板内。
13.如权利要求10所述的半导体封装结构,其特征在于,该底部充当接近该第二表面的第二焊垫。
14.如权利要求10所述的半导体封装结构,其特征在于,该核心基板与该焊料屏蔽层由不同或者相同的材料形成。
15.如权利要求10所述的半导体封装结构,其特征在于,形成该核心基板的材料包括:热固性材料,以及形成该焊料屏蔽层的材料包括:光固化材料。
16.如权利要求10所述的半导体封装结构,其特征在于,形成该核心基板的材料包括:聚丙烯树指或者ABF(Ajinomoto build-up film),及/或,该核心基板以及该第一焊料屏蔽层均包括:分散于其中的玻璃纤维。
17.如权利要求10所述的半导体封装结构,其特征在于,形成该焊料屏蔽层的材料包括:光可成像焊料屏蔽材料。
18.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:
基座,其中该基座包括:
核心基板,由第一材料形成,并且具有相对的装置附着面与焊料凸块附着面;
第一焊料屏蔽层,由该第一材料形成并且覆盖该核心基板的该焊料凸块附着面;以及
凸块垫,设置在该核心基板的该焊料凸块附着面上,其中该凸块垫从该第一焊料屏蔽层的开口中露出;
以及焊料凸块结构,接触该第一焊料屏蔽层并且电性连接至该凸块垫。
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