[发明专利]半导体制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造方法，用于进行套刻对准(OVL)操作，其特征在于所述方法包括：

步骤1：设置单元阵列区域套刻对准(OVL)标记和划片带套刻对准(OVL)标记，所述单元阵列区域套刻对准(OVL)标记紧贴单元阵列区域且位于单元阵列区域的角部，所述划片带套刻对准(OVL)标记位于每个芯片周围的划片带中且位于所述划片带的角部；

步骤2：进行套刻对准操作时，通过测量设备测量套刻对准(OVL)偏差；

步骤3：基于所述单元阵列区域套刻对准(OVL)标记和所述划片带套刻对准(OVL)标记的位置数据以及测量得到的所述套刻对准(OVL)偏差的数据，拟合获得套刻对准(OVL)模型；

步骤4：将所述划片带套刻对准(OVL)标记和所述单元阵列区域套刻对准(OVL)数据，反馈至扫描设备；其特征在于，

对所述划片带套刻对准(OVL)标记的位置数据和相应的套刻对准(OVL)偏差数据进行处理，获得第一组拟合数据；对所述单元阵列区域套刻对准(OVL)标记的位置数据和相应的套刻对准(OVL)偏差数据进行处理，获得第二组拟合数据；通过所述第一组拟合数据和所述第二组拟合数据，获得最终的套刻对准(OVL)模型。

2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征还在于：

步骤3中，拟合获得所述套刻对准(OVL)模型的具体方法包括：

基于所述划片带套刻对准(OVL)标记和相应的套刻对准(OVL)偏差：

dxs＝Txs+Exs*X+Rys*Y+Magxs*Fx+Rotys*Fy；

dys＝Tys+Eys*Y+Rxs*X+Magys*Fy+Rotxs*Fx；

基于单元阵列区域套刻对准(OVL)标记和相应的套刻对准(OVL)偏差：

dxc＝Txc+Exc*X+Ryc*Y+Magxc*Fx+Rotyc*Fy；

dyc＝Tyc+Eyc*Y+Rxc*X+Magyc*Fy+Rotxc*Fx；

因而获得的所述套刻对准(OVL)模型为：

dx＝dxs*W+dxc*(1-W)；

dy＝dys*W+dyc*(1-W)；

其中，dxs/dys为划片带套刻对准(OVL)偏移量，Txs/Tys/Exs/Eys/Rxs/Rys为基于划片带套刻对准(OVL)标记的晶圆层级(wafer level),Magxs/Magys/Rotxs/Rotys为基于划片带套刻对准(OVL)标记的曝光区层级(shot level)，X/Y为是基于晶圆层级而测量得到的划片带套刻对准(OVL)标记的测量位置x-y坐标，Fx/Fy为基于曝光区层级而测量得到的该划片带套刻对准(OVL)标记的测量位置x-y坐标；

dxc/dyc为单元阵列区域套刻对准(OVL)偏移量，Txc/Tyc/Exc/Eyc/Rxc/Ryc为基于单元阵列区域套刻对准(OVL)标记的晶圆层级(wafer level),Magxc/Magyc/Rotxc/Rotyc为基于单元阵列区域套刻对准(OVL)标记的曝光区层级(shot level)，X/Y为是基于晶圆层级而测量得到的单元阵列区域套刻对准(OVL)标记的测量位置x-y坐标，Fx/Fy为基于曝光区层级而测量得到的该单元阵列区域套刻对准(OVL)标记的测量位置x-y坐标；

W为权重系数其为基于单元阵列区和划片带区域的不同而设置的一个在0-1之间的系数，反映了单元阵列区域的器件密度。